第一章测试
1.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流( )
A:减小至擎住电流以下 B:减小至门极触发电流以下 C:减小至维持电流以下 D:减小至5A以下
答案:C
2.在型号KP10-12G中,数字10表示( )
A:额定电流100A B:额定电压10V C:额定电流10A D:额定电压1000V
答案:C
3.下列全控器件中,属于电流控制型的器件是( )
A:P-MOSFET B:GTR C:SIT D:IGBT
答案:B
4.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为 ( )
A:临界饱和 B:反向截止 C:一次击穿 D:二次击穿
答案:D
5.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( )
A:逆阻型晶闸管 B:双向晶闸管 C:可关断晶闸管 D:大功率三极管
答案:A
6.电力电子器件的换流方式有( )
A:脉冲换流 B:负载换流 C:器件换流 D:电网换流
答案:ABCD
7.电力电子器件中属于电压驱动的是( )
A:电力GTR B:IGBT C:GTO D:电力MOSFET
答案:BD
8.晶闸管的内部结构具有3端、4层、2个PN结。( )
A:错 B:对
答案:A
9.在通常情况下,电力电子器件功率损耗主要为通态损耗,而当器件开关频率较高时,功率损耗主要为开关损耗。( )
A:对 B:错
答案:A
10.IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而下降,开关速度小于电力MOSFET。( )
A:错 B:对
答案:B

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