1. 下列英特尔出产的CPU没有采用DIP封装的是( )。
A:8086 B:8088 C:4004 D:8084
答案:8084
2. 对于可靠性要求严格的大型电子计算机等应用,必须采用( )。
A:稳定性封装 B:气密性封装 C:防腐蚀性封装 D:高安全性封装
答案:气密性封装
3. csp封装内存芯片的金属基板到散热体的最有效散热路径仅有( )
A:0.4mm B:0.2mm C:0.3mm D:0.1mm
答案:0.2mm
4.根据IC的发展趋势,可以推断微电子封装的发展趋势,以下哪点是错误的( )。
A:微电子封装应具有更高的电性能和热性能 B:电子封装将具有更少的I/O引脚 C:电子封装将更轻 D:电子封装将更便于安装,使用和返修
答案:电子封装将具有更少的I/O引脚
5. 集成电路芯片的集成度基本遵循摩尔定律变化,集成度越高,芯片功能越强大,对应的____也越来越多( )
A:O/I B:I/O C:J/G D:H/F
答案:I/O
6. 电子封装工艺流程为:开始、____、老化筛选测试、____、老化筛选测试、____、老化筛选测试、入库( )。
A:耦合封装;模块封装;芯管封装 B:模块封装;芯管封装;耦合封装 C:芯管封装;模块封装;耦合封装 D:芯管封装;耦合封装;模块封装
答案:芯管封装;耦合封装;模块封装
7. 常用的包封封装法,一般是将树脂覆盖在半导体上,使其与外界环境隔绝。覆盖树脂的方法有几种( )。
A:5 B:3 C:4 D:2
答案:5
8. 如何判断合适的拾晶高度( )。
A:直到感应器变成红色 B:什么时候都合适 C:直到感应器变成绿色 D:一直往下压到底
答案:直到感应器变成绿色
9. 光电子封装中把光信号转变为电信号的器件是_____探测器( )。
A:APD B:PAD C:光 D:PIN
答案:光
10. TAB技术的关键材料包括_____、TAB引线金属材料和芯片凸点金属材料三部分( )。
A:基带材料 B:复合材料 C:原材料 D:频带材料
答案:基带材料
11. 计算矩阵时应该注意什么( )。
A:以最后一列数量为准 B:看第一列有多少颗就写多少 C:怎么算都可以 D:根据所给模板来灵活变化

12.下面芯片的叫法错误的是( )。
A:硅片 B:集成电路 C:微芯片 D:微电路 13. TAB双金属层带适用于_____器件,可改善信号特性( )。
A:中低频 B:低频 C:高频 D:中高频 14. 轴向喷洒涂胶工艺优点不包括( )。
A:适于TAB线的IC芯片封装 B:破坏性小 C:缩小封装体积 D:成本低 15. 热超声波键合通常使用( )。
A:合金丝 B:银丝 C:金丝 D:铜丝 16.下列对倒装芯片主要特点的描述错误的是( )。
A:基板和芯片的焊点成镜像对称 B:对应的互连位置必须有凸起的焊点-凸点 C:基板上直接安装芯片(倒装) D:先完成电气连接再完成机械连接。 17. TAB载带的制作技术包括单层带制作技术、双层带制作技术、三层带制作技术和_____制作技术( )。
A:四层带 B:单金属层带 C:双金属层带 D:铜箔层带 18. 在设置矩阵前的设置对点一与对点二位置为( )。
A:互为对角 B:同一列 C:同一行 D:互为平行 19. FC工艺主要工艺步骤如下,其中有误的一步是( )。
A:第二步,芯片凸点制作 B:第三步,已制备凸点的芯片组装到基板/板卡上 C:第一步,凸点底部金属化(UBM)制程 D:第四步,使用导电材料填充芯片底部孔隙 20.以下不属于PBGA封装优点的是( )。
A:对湿气不敏感,适用于对气密性要求和可靠性要求高的器件和封装 B:与PCB的热匹配性好 C:可利用现有技术材料封装费用比较低,成本低 D:可适用于大批量生产,封装器件的电气性能良好 21. 封装好的元器件自铸膜机中推出后,通常需要再施以_____的热处理以使铸膜材料完全硬化( )。
A:4~5h、175℃ B:2~3h、175℃ C:4~6h、175℃ D:1~2h、155℃ 22. 塑料封装可以利用以下_____方法制成( )。
A:加热塑料 B:添加色素 C:转移铸膜 D:冷却塑料 23. MCM的分类下面选项中不属于的是( )。
A:MCM-B型 B:MCM-L型 C:MCM-D型 D:MCM-C型 24. 光模块按功能划分可划分为____、____及____。( )。
A:发射模块;滤波模块;收发合一模块 B:发射模块;接受模块;收发合一模块 C:发射模块;接发模块;收发合一模块 D:发光模块;接受模块;收发合一模块 25.下面选项中采用叠层的外围来互连叠层芯片的互连技术是( )。
A:丝焊叠层芯片法 B:叠加带载体法, 焊接边缘导带法和丝焊叠层芯片法 C:叠加带载体法 D:焊接边缘导带法 26. 树脂聚合不充分,特性不稳定,要在_____温度下聚合反应才完成( )。
A:140–160℃ B:120–140℃ C:160–180 D:100–120℃ 27.以下属于键合失效的是( )。
A:键合点开裂 B:键合点腐蚀 C:IMC的形成 D:键合点剥离 28. 双酚类树脂的玻璃转化温度为( )。
A:120~140℃ B:100~120℃ C:90~110℃ D:95~115℃ 29.下面选项中不属于多芯片组件封装的优点是( )。
A:封装的可靠性得到提升 B:提高抗压能力 C:可完成短、小、轻、薄的封装设计 D:可大幅度提高连线密度,增进封装效率 30.反应式射出成形工艺和轴向涂胶工艺的共同优点是( )。
A:适于TAB线的IC芯片封装 B:成本低 C:润湿芯片表面 D:铸膜压力低 31. TAB制作过程最常使用的封胶材料是环氧树脂和( )。
A:环氧氯丙烷 B:氧化铜 C:硅树脂 D:环氧丙烷 32.形成凸点的工艺技术多种多样,错误的一项是( )。
A:电镀法 B:叠层制作法 C:蒸发法 D:转移法 33. 21世纪主流的产业没有( )。
A:通信 B:房地产 C:信息 D:半导体 34. 开始塑封前料饼醒料最少需要_____小时( )。
A:3小时 B:4小时 C:8小时 D:2小时 35. 下面不是去除飞边毛刺的工艺的一项是( )。
A:切筋打弯 B:介质去飞边毛刺 C:溶剂去飞边毛刺 D:水去飞边毛刺 36.化学镀法是一种不需要通电,利用强还原剂在化学镀液中将预镀的金属离子还原成该金属原子沉积在镀层表面的方法。对其说法错误的是( )。
A:结合力好,可镀复杂形状 B:镀层致密,抗蚀能力强 C:投资少,工艺步骤少 D:适用于多芯片 37. 在切割过程中,蓝膜的作用是( )。
A:好看 B:加速切割 C:固定芯片位置 D:保护芯片 38. 电子封装的发展趋势将更轻、更小( )
A:其他三项都对 B:成本更高 C:更薄 D:更厚 39. 清模胶是____颜色( )。
A:黑色 B:红色 C:白色 D:黄色 40. 目前大量批生产所用到的主流硅片为( )。
A:11in B:8in C:6in D:4in 41.下面不是微电子封装的功能是( )。
A:电子封装 B:传递电能 C:散热通道 D:信号传输 42. 熔焊中比较常用的一种方法是_____,该方法也称为串焊( )。
A:气焊 B:平行缝焊 C:气压焊 D:电渣焊 43.普通的TAB三层带的起始材料是( )。
A:二氧化硅 B:锗 C:聚酰亚胺 D:聚乙烯纤维 44.包封通过将_____和环境隔离来实现保护功能( )。
A:标准器件 B:无源器件 C:无源器件和有源器件 D:有源器件 45. 集成电路诞生自_____年( )。
A:1958 B:1955 C:1956 D:1954 46.导电胶填充料是银颗粒或银薄片,填充量一般在_____之间,黏着剂都是导电的( )。
A:85%~90% B:75%~80% C:65%~70% D:55%~60% 47. 光电子封装是_____器件、_____元器件及_____材料系统的集成( )。
A:光电子;粒子;功能应用 B:光粒子;电子;功能应用 C:光电子;电子;功能应用 D:光粒子;粒子;功能应用 48.微电子封装直接影响着IC本身的( )。
A:电性能、热性能、光性能、数据性能 B:电性能、热性能、光性能、工艺性能 C:电性能、热性能、光性能、机械性能 D:电性能、热性能、光性能、材料性能 49.在热压连接工艺中,下列说法错误的是( )。
A:热压压力较大,仅适用于刚性基底 B:工艺简单且温度低 C:需要使用焊剂 D:可以实现细间距连接

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