第二章
以下关于电力电子器件说法错误的是( )。
答案:电力电子器件不需要信息电子电路进行控制
以下关于电力电子器件损耗说法正确的是( )。
答案:电力电子器件功率损耗一般远大于信息电子器件
以下关于PN结工作原理说法正确的是( )。
答案:外加反向电压时,PN结表现为高阻态
以下关于电力二极管特性说法正确的有( )。
答案:电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时会有反向电压过冲现象;电力二极管由零偏置转换为正向偏置时正向压降会出现一个过冲;电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时并不能立即关断
电力二极管PN结内的空间电荷区又被称为( )。
答案:耗尽层;势垒区;阻挡层
当电力二极管用在频率较高场合时,分析其发热原因,开关损耗往往不能忽略。( )
答案:对
以下关于晶闸管引脚与内部结构说法错误的是( )。
答案:门极在PNPN四层结构中的N1区引出
以下关于晶闸管门极作用说法错误的是( )。
答案:为了保障触发稳定,注入的门极电流必须导通电流接近
以下关于电力二极管动态特性说法正确的是( )。
答案:开通时,阳极电流的增长不是瞬时的;关断时,反向恢复电流会在晶闸管两端引起反向尖峰电压;关断时,反向阻断恢复结束后还有一个正向阻断恢复过程;关断时,阳极电流的衰减不是瞬时的
以下关于电力二极管参数说法正确的是( )。
答案:规定断态重复峰值电压为断态不重复峰值电压的90%;通常取晶闸管的断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的标值,作为该器件的额定电压;规定反向重复峰值电压为反向不重复峰值电压的90%
晶闸管开通时间等于阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间。( )
答案:错
晶闸管的擎住电流是指是指使晶闸管维持导通所必需的最小电流。( )
答案:错
以下关于电力MOSFET说法错误的是( )。
答案:它电流容量大,耐压高,多用于功率不超过10kW的电力电子装置
以下关于电力MOSFET导电沟道说法错误的是( )。
答案:对于N沟道器件,栅极电压等于零时才存在导电沟道的,称为增强型
以下关于IGBT说法错误的是( )。
答案:IGBT开关速度高于电力MOSFET
以下关于电力MOSFET说法正确的是( )。
答案:目前电力MOSFET大都采用了垂直导电结构;电力MOSFET在导通时,只有一种极性的载流子参与导电
以下关于IGBT说法正确的是( )。
答案:相比于电力MOSFET,IGBT的耐高压能力更优;IGBT的输入阻抗高,输入特性与电力MOSFET类似
静电感应晶体管SIT在栅极不加任何信号时是导通的,栅极加负偏压时关断,常被称为正常导通型器件。( )
答案:对
宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.0eV及以上的半导体材料。( )
答案:错
IGBT模块是指将多个IGBT封装在一个模块中,达到缩小装置体积,降低成本,提高可靠性等目的。( )
答案:对

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