第八章下列关于晶闸管触发驱动器的说法正确的是（ ）。
答案:所提供的触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额，且在伏安特性的可靠触发区域之内;为触发晶闸管开通，门极的脉冲电流必须有足够大的幅值和持续时间，以及尽可能短的电流上升时间;驱动电路常采用光耦或脉冲变压器实现隔离，以保证控制电路不受主电路高压、大电流的影响
下列关于电力晶体管驱动电路的说法，正确的是（ ）。下列哪种过流保护措施延时最短（ ）。在选择快速熔断器时，应考虑（ ）。下列关于过电压保护的说法正确的是（ ）。由于IGBT内部建立、积累导电电荷使其具有导电能力需要一定的时间，因此即使IGBT驱动器输出的栅极电压为正后，IGBT并不会立即导通，而会存在一定的开通时延。（ ）以Buck电路为例，上桥臂开关管的导通过程一般可分为三个阶段，下列说法正确的是（ ）。以Buck电路为例，上桥臂开关管的关断过程一般可分为三个阶段，下列说法正确的是（ ）。线路杂散电感的存在会使电流变化时产生一定的感生电压，因此杂散电感的存在可能会引起开关管关断时产生严重的过电压，且伴随很大的开关功耗。（ ）非放电型RCD缓冲电路与放电型RCD缓冲电路相比，缓冲电阻只吸收电压尖峰的能量，缓冲电容C所积蓄的能量不会在每次开关过程中都充分释放出来，因此即使开关频率加大，缓冲电阻上消耗的能量也不会变得很大。（ ）逆变器的输出电压为一系列占空比不等的方波，通常采用LC滤波器降低逆变器输出电流中的谐波分量，改善输出电压质量。（ ）下列关于LC串、并联滤波器的说法正确的是（ ）。下列关于LC谐振滤波器说法正确的是（ ）。基于传热与导电现象之间的相似性，可以使用热等效电路对散热系统进行简单的分析和设计。（ ）MOSFET的节温为150℃，MOSFET外壳的热阻为0.4℃/W，散热器的热阻为1℃/W，MOSFET的损耗为30W，请问MOSFET的壳温为（ ）。
温馨提示支付 ￥3.00 元后可查看付费内容,请先翻页预览!
