第八章单元测试
关于应力状态分析,说法不正确的是( )。
关于应力状态分类,说法正确的是( )。
图示平面应力状态的主应力和最大切应力是( )。
关于强度理论,说法完全正确的是( )。
已知一圆柱形薄壁容器的内径d=1m,内部的蒸汽压强p=4.2MPa,材料的许用应力[s] = 140MPa,按第三强度理论设计容器的壁厚t应是( )。
关于应力状态分析单元体,说法正确的是( )。
关于应力状态分析结果,说法正确的是( ) 。
应力状态分析中关于应力正负的定义是:法向应力拉应力为正,压应力为负,切向应力顺时针为正,反时针为负。
一个端部承担集中力的悬臂梁,其根部附近截面中性轴上原始单元体的应力状态可用( )图表示
已知一点处于平面应力状态,过该点两个平面上的应力如图所示,该点的和最大切应力是( )
关于应力圆法,说法正确的是( ).
已知一点处于平面应力状态,过该点两个平面上的应力如图所示,则表征该点应力圆的圆心坐标和半径分别是( )
关于三向应力状态,说法正确的是( )
关于线弹性材料的变形,说法不正确的是( )
如图所示长为L、截面为b×b的正方形截面拉杆受力F作用,已知材料弹性模量为E,泊松比为ν,则拉杆表面上A、B点距离的增加量是( )。
关于电阻应变测试技术,说法不正确的是( ) 。
关于应变能,说法正确的是( )。
A:
应力状态分析是研究复杂受力状态下结构破坏机理和强度理论的基础。
B:应力状态分析的平衡对象是三个方向尺度均为小量的微单元。
C:应力状态是指过一点不同方向面上应力的集合。
D:应力状态只分析过一点不同方向面上的应力大小。
答案:
应力状态只分析过一点不同方向面上的应力大小。
A:
单元体所有方向面上的应力不为零,则处于三向应力状态。
B:单元体有一对方向面上的应力为零,则处于平面应力状态。
C:单元体上所有的应力只有切应力,且在同一平面内,则处于单向应力状态。
D:应力状态分为单向应力状态、平面应力状态和纯剪切应力状态。
单元体只有一对方向面上的应力不为零,则处于单向应力状态。
A: B: C: D:
A:
第一和第二强度理论适用于脆性破坏分析、第三和第四强度理论适用于屈服失效分析。
强度理论意图是利用简单受力情况的实验结果,建立复杂应力状态下的强度条件。
C:最大切应力理论忽略了中间主应力σ2的影响,强度分析的结果相比第四强度理论偏于危险。
D:强度理论一共有四个。
A:
t >13mm
B:t >10mm
C:t >15mm
D:t > 30mm
A:
单元体各个面上的应力是均匀分布的
B:主单元体和原始单元体相当
C:单元体上一般有9个独立的应力分量
D:单元体两个平行面上的应力大小相等、方向相反
E:单元体是边长微小的正六面体
A:
最大切应力等于两个垂直面上正应力差的一半
B:正应力取极值的平面上切应力肯定为零
C:切应力取极值的平面上正应力肯定为零
D:切应力取极值的平面与正应力取极值的平面成45º角
E:同一点任意取正六面体微单元体,其三个方向上正应力的和是定值
A:错 B:对
A: B:
A: B: C: D:
A:
三向应力状态下单元体上任意斜截面上的应力与三个应力圆之一的圆周上的点一一对应
B:平面应力状态单元体上任意斜截面上的应力与应力圆周上的点一一对应
C:应力圆的圆心永远在σ坐标轴上
D:平面应力状态分析的图解分析中,在σ-τ坐标系中,σ取水平坐标轴,τ取竖直坐标轴
E:应力圆圆周上的点与单元体斜截面的对应关系,可用“点面对应,注意基点;转向相同,转角两倍”来描述
A: B: C: D:
A:
不管应力如何复杂,在应力空间,肯定存在三个唯一对应的主应力
B:三个主应力平面是永远是相互正交的
C:三向应力状态下单元体上表征任意斜截面上的应力的点可能落在σ1、σ3所确定应力圆内的任意位置
D:对于给定的应力状态,其应力不变量也具有唯一性
E:三个主应力均不为零就称为三向应力状态
A:
广义胡克定律只适用于线弹性主单元体的应力状态
B:单元体的切应变与单元体的正应力和切应力都有关
C:广义胡克定律可基于轴向拉伸的胡克定律和叠加原理推导得到
D:体应变是任意单元体三个方向线应变的代数和
A: B: C: D:
A:
惠斯登电桥测试应变时具有对臂相消、邻臂相加的特性
B:惠斯登电桥平衡时两对对臂上的电阻之积相等
C:应变测试中温度的影响可以通过温度自补偿片方法和桥路补偿方法减小
D:所有测试都适用采用全桥接法
E:在量程范围内电阻应变片电阻的相对变化量与承担的应变成正比
A:
单元体在应力偏张量作用下不改变形状,只改变体积
B:应变能密度根据其作用可以分为体积改变能密度与畸变能密度
C:单元体在应力球张量作用下不改变形状,只改变体积
D:在静载作用下,弹性体在变形过程中,如不考虑能量的损失,积蓄在弹性体内的应变能U在数值上等于外力所作的功W
E:应变能密度量纲上等于力与位移之积