电子技术基础Ⅰ（模拟部分）答案2023
湖南师范大学 第一章测试1.对PN结电击穿描述不正确的是（ ）。 A:齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的 B:稳压二极管就是利用齐纳击穿原理实现的
电子技术基础Ⅰ（模拟部分）
知到答案电子技术基础Ⅰ（模拟部分）智慧树答案_2022年
湖南师范大学第一章对PN结电击穿描述不正确的是（ ）。 选项:齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的雪崩击穿属于电击穿
电子技术基础Ⅰ（模拟部分）答案2023秋
第一章测试1.对PN结电击穿描述不正确的是（ ）。 A:齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的 B:雪崩击穿属于电击穿 C:稳压二
电子技术基础Ⅰ（模拟部分）章节测试课后答案2024春
第一章测试1.对PN结电击穿描述不正确的是（ ）。 A:稳压二极管就是利用齐纳击穿原理实现的B:PN结电击穿时，在外电压撤除后能够恢复原状态C:雪崩击穿属于电击穿D:齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的答案:D2.2AP9表示的是（ ）。 A:18世纪30年代到18世纪末B:
电子技术基础Ⅰ（模拟部分）期末答案和章节题库2024春
对于射极输出器，下列说法正确的是 （ ）答案:输出电阻小###不具备电压放大能力###输入信号与输出信号同相对负反馈放大电路改善放大器性能描述正确的是（ ）答案:扩展放大器的频带###提高放大器增益的稳定性###减少放大器非线性失真
电子技术基础Ⅰ（模拟部分）期末答案2023秋
1.三极管处于饱和状态时，发射结和集电结都是正向偏置（ ）A:错 B:对 答案:AI参考:正确。三极管处于饱和状态时，发射结和集电结都是正向偏置。此时，三极管相当于一个电阻，其阻值很小，相当于短路，因此电流很大。因此，答案为B，即“对”。'2.关于共模抑制比描述错误的是：A:噪声属于共模信号 B:电路的差模增益为50，共模增益为
电子技术基础Ⅰ（模拟部分）期末考试答案2023春
电子技术基础Ⅰ（模拟部分）三极管处于饱和状态时，发射结和集电结都是正向偏置（ ）A:错 B:对
电子技术基础Ⅰ（模拟部分）章节测试课后答案2024秋
湖南师范大学第一章单元测试对PN结电击穿描述不正确的是（ ）。 A:齐纳击穿原理与雪崩击穿原理近似相同，都是在外加反向电压下实现的B:雪崩击穿属于电击穿C:稳压二极管就是利用齐纳击穿原理实现的D:PN结电击穿时，在外电压撤除后能够恢复原状态
电子技术基础Ⅰ（模拟部分）期末考试答案题库2024秋
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