湖南师范大学
- 对放大器频率特性描述正确的是（ ）
- 对N沟道增强型场效应管工作原理描述正确的是（ ）
- 具有滤波功能的有（ ）
- 对于射极输出器，下列说法正确的是 （ ）
- 对PN结击穿描述正确的是（ ）
- 对晶体三极管放大电路的工程常识描述正确的是（ ）
- 对微分器描述正确的是（ ）
- 对负反馈电路描述正确的是（ ）
- 对运算放大器描述正确的是（ ）
- 对稳压电源描述正确的是（ ）
- 如图所示，
则输出电阻约为（ ）
- 在下面有关PN结的论述中，不正确的是（ ）
- 变容二极管是利用PN结（ ）效应的半导体器件。
如图所示，设二极管为理想二极管，负载
上信号的平均值为（ ）
- 下列关于功率放大电路的描述，不正确的是（ ）
- 在分压式稳定静态工作点放大电路中，静态工作点VCEQ = ( )
- 欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入什么负反馈（ ）
- 对多级放大电路性能描述不正确的是（ ）
- 对于放大电路，所谓开环是指（ ）
- 串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（ ）。
- 在晶体管放大电路共射、共集、共基三种电路中，输入电阻高的电路是哪一项，因而常被作为多级放大电路的输入级？ （ ）
- 具有放大环节的串联稳压电路在正常工作时，调整管处于（ ）工作状态
- 若将上限频率为100kHz的输入信号放大100倍，用单级运放构成放大器，则运放的增益带宽积应该满足（ ）
- 已知放大电路的输入信号为1mV，输出电压为1V，引入负反馈后，为达到同样的输出，需加输入信号电压10mV，则引入的反馈系数为（ ）
- 基本放大电路中RC=2KΩ，RB=220KΩ，VCC=12V，β= 40，则集电极静态电流ICQ为（ ）
- 在相同的电源电压、输入信号和负载情况下，OCL和OTL两种功放电路的效率不同（ ）
- 场效应管是单极型器件，只有一种载流子导电，和金属导电基本相同（ ）
- 运放的输入失调电压UIO是输入端电位之差。（ ）
- 二极管的理想模型、恒压降模型和折线模型都是针对大信号输入而言的（ ）
- 放大电路的级数越多，引入的负反馈越强，电路的放大倍数也是越稳定。（ ）
- 阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。（ ）
- 在相同的电源电压、输入信号和负载情况下，OCL和OTL两种功放电路的输出的功率，前者是后者的2倍（ ）
- 利用“虚短”和“虚断”两个概念是计算反馈放大电路的主要途径（ ）
- CMOS集成运放功耗比BJT集成运放低（ ）
- 既然电流负反馈稳定输出量电流，那么必然稳定输出电压。（ ）
- 深度负反馈情况下，输入信号与反馈信号近似相等（ ）
- 三极管处于截止状态时，发射结和集电结都是反向偏置（ ）
- 经过整流后，采用电容滤波时，选择整流二极管的整流电流参数应该为负载电阻上电流的1-2倍即可（ ）
- 差动放大电路的共模信号为两输入信号之和（ ）
- 多级放大电路的频带宽度比任何一级放大电路的频带宽度窄（ ）
- MOS器件主要用于制成集成电路（ ）
- 只要在放大电路中引入负反馈，就一定能使其性能得到改善。（ ）
- 光电二极管和发光二极管都是在正向电压下工作的（ ）
- P沟道增强型MOSFET的开启电压小于零（ ）
- 流过二极管的电流Q点电流为1mA，则其等效电阻值为13Ω（ ）
- 开关电容滤波器的精度和稳定性较高，工作频率不高（ ）
- 温度升高，使晶体三极管的集电极电流增加，Q点上移到饱和区（ ）
- 运放的共模抑制比为60dB，说明差模电压放大倍数是共模电压放大倍数的1000倍（ ）
- 雪崩击穿和齐纳击穿的机理是不同的（ ）
- 共集电极放大电路可用在电路的输出级以提高带负载能力（ ）
A:放大器的频率特性包含幅频特性和相频特性
B:幅频特性的截止频率
处的电压增益应该比放大器的增益小3dBC:放大器的低频特性与串接在电路中的电容器有关
D:放大器的高频特性与三极管的结电容有关
答案:
A:栅极和源极之间加直流电压时，产生导电沟道
B:当漏极和源极之间加正向电压超过预夹断电压时，漏极电流减少
C:栅极和源极之间加直流电压大于开启电压时，漏极和源极之间加正向电压，有漏极电流产生
D:栅极和源极之间不加电压时，无导电沟道产生
答案:栅极和源极之间加直流电压大于开启电压时，漏极和源极之间加正向电压，有漏极电流产生###栅极和源极之间不加电压时，无导电沟道产生###栅极和源极之间加直流电压时，产生导电沟道
A:巴特沃斯滤波器
B:契比雪夫滤波器
C:微分器
D:贝塞尔滤波器
答案:A: 巴特沃斯滤波器 B: 契比雪夫滤波器 D: 贝塞尔滤波器
A:输入电阻小
B:输入信号与输出信号同相
C:不具备电压放大能力
D:输出电阻小
答案:输出电阻小###不具备电压放大能力###输入信号与输出信号同相
A:当外加反向击穿电压撤除后，齐纳击穿的PN结可以恢复原状
B:2AP9表示的是普通二极管
C:利用雪崩击穿原理，PN结可以做成稳压二极管
D:雪崩击穿和齐纳击穿都是属于电击穿
答案:A、C、D
A:放大电路的输出功率一般是瓦特级
B:放大电路的输入信号电压一般是毫伏甚至是微伏级电压
C:放大电路的输出信号电流一般是几毫安
D:放大电路的输入信号电流一般是微安级的电流
答案:放大电路的输出信号电流一般是几毫安###放大电路的输入信号电流一般是微安级的电流###放大电路的输入信号电压一般是毫伏甚至是微伏级电压
A:可以调节输出信号的大小
B:微分元件参数的选择要考虑输入信号的特性
C:可以看成是一个高通滤波器
D:可以改变输入信号的频率和周期
答案:积分元件参数的选择要考虑输入信号的特性###可以调节输出信号的大小###可以看成是一种低通滤波器
A:“虚断”和“虚短”是分析负反馈放大电路基础
B:带负反馈放大电路的电压增益一定小于不带反馈放大电路的电压增益
C:电压反馈一般都是串联反馈
D:负反馈电路一定有反馈网络
答案:“虚断”和“虚短”是分析负反馈放大电路基础###带负反馈放大电路的电压增益一定小于不带反馈放大电路的电压增益###负反馈电路一定有反馈网络
A:级间采用直接耦合
B:输入电阻高，输出电阻低
C:开环增益无穷大
D:由差动输入级、放大中间级、功放输出级和微电流源组成
答案:A/B/C/D
A:开关稳压电源既可以是降压型的，也可以是升压型的
B:串联稳压型电源输出是小功率的，而开关稳压电源输出是大功率的
C:串联稳压型电源是降压型的
D:开关稳压电源效率高，输出电压纹波小
A:10Ω
B:18Ω
C:14Ω
D:12Ω
A:不外加电压时，PN结内是电中性的
B:PN结内的电场阻止P区和N区的多数载流子越结扩散
C:PN结内的载流子数量较P区和N区都少
D:P区和N区掺入杂质越多，PN结越薄
A:正偏扩散电容
B:反偏势垒电容
C:正偏势垒电容
D:反偏扩散电容
A:1.9V
B:0.95V
C:-1.9V
D:-0.95V
A:乙类功放在最大功率输出时，管耗最大
B:甲类功放在静态时，管耗最大
C:当所选功率管的
相同时，乙类功放较甲类功放可允许输出更大的功率D:乙类功放的效率高于甲类功放
A:VCC﹣ICQRC
B:VCC﹣ICQ（RC﹢Re）
C:VCC﹣IEQRe
D:IBQRC
A:电流并联
B:电压串联
C:电流串联
D:电压并联
A:多级放大电路的输入电阻为第一级放大电路的输入电阻
B:多级放大电路的电压增益等于各级放大电路电压增益分贝值之积
C:多级放大电路的频带带宽比任何一级放大电路的频带带宽都窄
D:多级放大电路的输出电阻为最后一级放大电路的输出电阻
A:无电源
B:无信号源
C:无反馈电路
D:无负载
A:基准电压
B:基准电压与取样电压的差
C:取样电压
D:整流电压
A:共集
B:共射
C:都不对
D:共基
A:开关
B:放大
C:截止
D:饱和
A:500MHz
B:1MHz
C:100MHz
D:10MHz
A:无法判定
B:0.99
C:0.9
D:0.09
A:20.9mA
B:51μA
C:2.04mA D:2.54mA
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
温馨提示支付 ￥5.00 元后可查看付费内容,请先翻页预览!
