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电子技术基础Ⅰ（模拟部分）
- 三极管处于饱和状态时，发射结和集电结都是正向偏置（ ）
- 在相同的电源电压、输入信号和负载情况下，OCL和OTL两种功放电路的效率相同（ ）
- 二极管除了用于整流外，还可以用来钳位（ ）
- FET电流源的输出电流与基准电流之间的关系取决于两个FET的宽长比（ ）
- 稳定放大电路的Q点，采用在发射极串入电阻的方法，它是利用反馈原理实现的（ ）
- 集成运放中的镜像电流源为各级放大电路静态工作点设置而存在的（ ）
- 稳压二极管的PN结势垒区厚度比整流二极管的PN结势垒区厚度小得多（ ）
- 全波整流电路中的4个二极管，其电特性参数必须相同（ ）
- 负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。（ ）
- 流过二极管的电流Q点电流为1mA，则其等效电阻值为13Ω（ ）
- 发射区、基区和集电区，基区是最薄的（ ）
- 三极管处于饱和状态时，发射结和集电结都是反向偏置（ ）
- PN结形成后，其内电场的扩散和漂移达到平衡状态（ ）
- 三极管处于截止状态时，发射结和集电结都是反向偏置（ ）
- 负反馈既可以抑制反馈环内的噪声，也可以抑制反馈环外的噪声（ ）
- 多级放大电路的频带宽度比任何一级放大电路的频带宽度宽（ ）
- 只要在放大电路中引入负反馈，就一定能使其性能得到改善。（ ）
- 正弦波信号经过半波整流后的平均值为正弦波信号的0.45倍（ ）
- 二极管的理想模型、恒压降模型和折线模型都是针对大信号输入而言的（ ）
- 30场效应管的小信号模型分析，条件是信号基本在特性曲线上的线性范围内工作（ ）
- 发射区掺杂的浓度比集电区掺杂的浓度高（ ）
- P沟道增强型MOSFET的开启电压小于零（ ）
- BiCMOS放大电路中，既有MOSFET又有BJT（ ）
- 在稳压管稳压电路中稳压管的最大稳定电流必须大于最大负载电流。（ ）
- 光电二极管和发光二极管都是在正向电压下工作的（ ）
- 在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ），则说明引入的反馈是电压反馈。
- 采用二阶高通滤波器进行滤波时，设截止频率为
，则0.1处的增益与处的相差（ ） - 设计一个输出功率为20W的扩音机电路，用乙类互补对称功率放大，则功放管的
应选择大于（ ） - 串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是（ ）。
关于共模抑制比描述错误的是：
- 提高功率BJT可靠性的主要途径是使用时要降低额定值。下列降低额定值错误的是（ ）
- 下列传递函数表示低通滤波器的是（ ）
- 如图所示，信号源内阻为600Ω，三极管的β为50，当信号源为15mV时，输出约为（ ）
- 在下面有关PN结的论述中，不正确的是（ ）
- 基本放大电路中RC=2KΩ，RB=220KΩ，VCC=12V，β= 40，则集电极静态电流ICQ为（ ）
- 对于放大电路，所谓开环是指（ ）
- 在分压式稳定静态工作点放大电路中，静态工作点VCEQ = ( )
- 在输入量不变的情况下，若引入反馈后（ ），则说明引入的反馈是负反馈。
- 与甲类功率放大方式比较，乙类OCL互补对称功放的主要优点是（ ）。
- 直流稳压电源中滤波电路的目的是（ ）
- 对镜像电流源描述正确的是（ ）
- 温度上升后,三极管以下参数受温度影响最大的是（ ）
- 对于射极输出器，下列说法正确的是 （ ）
- 对晶体三极管放大电路的工程常识描述正确的是（ ）
- 对PN结击穿描述正确的是（ ）
- 对有源滤波器描述正确的是（ ）
- 对稳压电源描述正确的是（ ）
- 关于Ｐ型半导体下列说法错误的是（ ）
- 电压串联负反馈对放大器的影响是（ ）
- 对稳压二极管描述正确的是（ ）
A:错 B:对
答案:正向AI参考:正确。三极管处于饱和状态时，发射结和集电结都是正向偏置。此时，三极管相当于一个电阻，其阻值很小，相当于短路，因此电流很大。因此，答案为B，即“对”。'
A:对 B:错
AI参考:B:错。在相同的电源电压、输入信号和负载情况下，OCL（无输出变压器）功放电路的效率通常比OTL（有输出变压器）功放电路的效率更高。这是因为OCL电路没有输出变压器，减少了能量的损失，而且电路中的功率器件工作在直流通路上，没有交流反馈和损耗。相比之下，OTL电路需要输出变压器进行交流耦合，能量在耦合过程中会有一定的损失。因此，在相同的条件下，OCL功放电路的效率通常会高于OTL功放电路。所以，这个判断题的正确答案是B:错。'
A:错 B:对
答案:对
A:对 B:错
AI参考:答案：B：错。FET电流源的输出电流与基准电流之间的关系取决于两个FET的宽长比和源级与负载之间的电阻值。因此，判断题的说法是错误的。'
A:对 B:错
AI参考:正确答案是B：错。稳定放大电路的Q点，采用在发射极串入电阻的方法是利用三极管内部结构实现的，不属于反馈原理。在发射极串入电阻，可以将输出信号的一部分反馈到输入端，从而稳定放大电路的输出。这种做法通常被称为射极电阻反馈法。'
A:错 B:对
AI参考:答案是B：对。集成运放中的镜像电流源是为了保证各级放大电路的输入端获得大小相等、极性相反的信号而存在的，它对各级放大电路静态工作点的设置起到了重要的作用。因此，集成运放中的镜像电流源是为了各级放大电路静态工作点设置而存在的，答案为B，即“对”。'
A:对 B:错
AI参考:答案：B：错。稳压二极管的PN结势垒区厚度比整流二极管的大。稳压二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在反向击穿电压之前，稳压二极管相当于普通二极管，而在击穿后，稳压二极管随电流的增加，反压逐渐下降，致使它的主要特性为电流调整和电压调整。而整流二极管通过较大脉冲电流后可保持稳定。所以题目是错的。'
A:错 B:对
AI参考:答案是B：对。全波整流电路中需要使用四个二极管，它们需要具有相同的电特性参数，以确保电路的正常工作。这些参数包括反向电压、最大正向电流和反向恢复时间等。因此，答案为B，即“对”。'
A:错 B:对
答案:对
A:对 B:错
AI参考:正确答案是A，对。因为二极管的等效电阻值等于电流与其两端电压的比值，即R = I/U，其中I为电流，U为二极管两端的电压。在这个问题中，已知流过二极管的电流为1mA，因此其等效电阻值为R = 1mA / 0.01V = 100Ω = 13Ω。所以答案为A，对。'
A:对 B:错
答案:对
A:错 B:对
AI参考:答案：B。三极管处于饱和状态时，发射结和集电结都是反向偏置，此时晶体管的发射极电阻较小，三极管进入导通状态，相当于开关打开。因此，这个说法是正确的，答案为B。'
A:错 B:对
AI参考:答案：B。PN结形成后，其内电场会在扩散和漂移两种运动的作用下逐渐形成，并且扩散运动大于漂移运动时内电场会逐渐增强，达到一定的数值后，扩散和漂移两种运动会达到平衡状态。因此选项B是正确的。'
A:对 B:错
答案:反向|
A:对 B:错
AI参考:答案：A。负反馈可以抑制反馈环内的噪声，但也可以抑制反馈环外的噪声，这种功能对于维持系统的稳定性、抑制干扰和噪声干扰等具有重要作用。因此，该判断题是正确的。'
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
AI参考:判断题【判断题】P沟道增强型MOSFET的开启电压小于零（ ）的正确答案是：B:对。P沟道增强型MOSFET的开启电压通常在零到正电压范围内，但具体的开启电压取决于器件设计和工艺。在多数情况下，开启电压通常小于零，因此B选项是正确的。'
A:对 B:错
AI参考:答案：B：错。BiCMOS放大电路是一种结合了BJT（双极型晶体管）和MOS的放大电路，它既有BJT又有MOS，因此答案为错。'
A:错 B:对
A:错 B:对
AI参考:答案是B：对。光电二极管和发光二极管都是在正向电压下工作的。光电二极管是通过光照产生光生电流，需要在正向电压下才能工作；发光二极管是一种能够发出可见光的电子元件，也需要正向电压才能正常工作。因此，这两个元件都是在正向电压下工作的。'
A:输出量增大 B:净输入量增大 C:净输入量减小 D:输入电阻增大
A:40dB B:20dB C:80Db D:60dB
A:20W B:4W C:40W D:10W
A:整流电压 B:基准电压与取样电压的差 C:基准电压 D:取样电压
A:噪声属于共模信号 B:电路的差模增益为50，共模增益为0.05，则共模抑制比为40dB C:共模抑制比越大，电路抑制共模信号的能力越强 D:共模抑制比反映的是差动放大电路抑制共模信号的能力
AI参考:关于共模抑制比描述错误的是共模信号属于噪声，电路的差模增益为50，共模增益为0.05，则共模抑制比为40dB，其他选项描述正确。因此，答案为A：噪声属于共模信号。'
A:工作时 , 器件的结温不应超过器件允许的最大结温的80%。 B:在最坏的条件下(包括冲击电压在内),工作电压不应超过极限值的80%。 C:在最坏的条件下(包括冲击电流在内),工作电流不应超过极限值的80%。 D:在最坏的条件下 ( 包括冲击功耗在内) , 工作功耗不应超过器件最大工作环境温度下的最大允许功耗的80%。
A: B: C: D:
AI参考:正确选项是C: 。低通滤波器是一种在信号处理中常用的滤波器，它的传递函数在低频段（低频率）处具有较高的增益，而在高频段（高频率）处具有较低的增益。因此，选项C中的传递函数在低频段处具有较高的增益，符合低通滤波器的特性。选项ABD中的传递函数在高频段处具有较高的增益，不符合低通滤波器的特性。'
A:-180mV B:-135mV C:-210mV D:-120mV
AI参考:根据电路图，信号源内阻为600Ω，三极管的β为50，所以放大电路中，放大倍数约是1.8(放大倍数等于输出电压与输入电压之比)，由于放大倍数约为1.8，所以输出电压约为15mV的1/1.8倍，即约为-120mV。因此选项D是正确答案。注意：由于三极管的β值越大，放大倍数越高，输出信号的幅度也会越大。因此，在选择答案时，需要综合考虑输入电压、三极管的β值、信号源内阻以及电路的其他参数来得出一个比较合适的答案。题目给出的答案选项并不完全符合所有的条件，需要谨慎选择。'
A:不外加电压时，PN结内是电中性的 B:PN结内的电场阻止P区和N区的多数载流子越结扩散 C:PN结内的载流子数量较P区和N区都少 D:P区和N区掺入杂质越多，PN结越薄
A:2.04Ma B:20.9mA C:2.54Ma D:51μA
A:无反馈电路 B:无电源 C:无负载 D:无信号源
A:VCC﹣ICQ（RC﹢Re） B:IBQRC C:VCC﹣IEQRe D:VCC﹣ICQRC
A:净输入量减小 B:输出量增大 C:输入电阻增大 D:净输入量增大
A:无失真 B:不用输出端电容 C:不用输出变压器 D:效率高
A:将纹波由大变小 B:将高频变为低频 C:将交、直流混合量中的交流成分滤掉 D:将交流变为直流
A:镜像电流源的输出电流是恒定的电流源 B:组成镜像电流源的两个场效应管的栅极相连接 C:镜像电流源的输出与基准电流基本相等 D:组成镜像电流源的两个晶体三极管的基极相连接
A:本征半导体 B:掺杂半导体 C:P型半导体 D:N型半导体
AI参考:正确选项为【B:掺杂半导体】。三极管是一种基于半导体工艺制成的电子器件，其工作原理是基于PN结的电流放大效应。掺杂半导体是指通过掺入不同种类的杂质来改变半导体的电学性质，从而增强三极管的放大效应。因此，掺杂半导体是影响三极管温度特性的主要因素，其工作温度范围和性能稳定性会受到温度变化的影响。而本征半导体、P型半导体和N型半导体是构成三极管的必要元素，但它们对温度的敏感程度不如掺杂半导体。因此，答案为B：掺杂半导体。'
A:输出电阻小 B:输入电阻小 C:输入信号与输出信号同相 D:不具备电压放大能力
A:放大电路的输出信号电流一般是几毫安 B:放大电路的输入信号电压一般是毫伏甚至是微伏级电压 C:放大电路的输出功率一般是瓦特级 D:放大电路的输入信号电流一般是微安级的电流
A:利用雪崩击穿原理，PN结可以做成稳压二极管 B:雪崩击穿和齐纳击穿都是属于电击穿 C:当外加反向击穿电压撤除后，齐纳击穿的PN结可以恢复原状 D:2AP9表示的是普通二极管
A:带通滤波器可由低通滤波器和高通滤波器组成 B:二阶低通滤波器在处的增益比处的增益少40dB C:RC组成的双T网络可组成带通滤波器 D:带阻滤波器可由低通滤波器和高通滤波器组成
A:开关稳压电源效率高，输出电压纹波小 B:串联稳压型电源输出是小功率的，而开关稳压电源输出是大功率的 C:串联稳压型电源是降压型的 D:开关稳压电源既可以是降压型的，也可以是升压型的
AI参考:正确选项是：A:开关稳压电源效率高，输出电压纹波小 和 D:开关稳压电源既可以是降压型的，也可以是升压型的。开关稳压电源是一种现代稳压电源技术，具有效率高、输出纹波小、易于控制等优点。它可以输出大功率或小功率，取决于电路设计和应用需求。同时，开关稳压电源也可以实现降压和升压功能，以满足不同的应用需求。因此，选项A和D是正确的描述。而选项B和C则与开关稳压电源的特点不完全相符，因此不正确。'
A:没有电子 B:带正电 C:呈电中性 D:只有空穴
A:增加输入电阻 B:减小输入电阻 C:增加输出电阻 D:减小输出电阻
A:其工作的反向击穿电流应该大于最小稳定电流 B:稳压管电路稳压主要是利用负反馈原理实现的 C:利用二极管的反向特性进行工作的 D:稳压管稳压电路带负载能力不强
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