微纳加工技术期末答案2023秋

1.为了防止外界污染侵入洁净室，应保持洁净室静压低于非洁净区域。（ ）
A:错 B:对
答案:错
2.溶脱剥离法是最普通的图形转移技术之一，尤其适用于金属薄膜的制作。（ ）
A:对 B:错
答案:对
3.如果衬底材料是晶体，在某原子排列稀疏的方向上，离子可能“长驱直入”，这就是沟道效应。（ ）
A:对 B:错
答案:对
4.电子散射与入射电子能量和衬底材料性质有关。（ ）
A:错误 B:正确
答案:正确
5.雪花的形成过程是一种自组装形成过程。（ ）
A:对 B:错
答案:对
6.沟道效应不仅发生在晶体衬底材料中，还常发生在非晶衬底材料中。（ ）
A:对 B:错
答案:错
7.自组装过程是一种大量分子自发的协同作用。（ ）
A:对 B:错
答案:错
8.大数值孔径是高分辨率成像的必要条件。（ ）
A:错误 B:正确
答案:正确
9.刻蚀法图形转移的基本要求是能够将光刻胶掩模图形完好地转移到衬底材料中，并具有一定的深度和剖面形状。（ ）
A:正确 B:错误
答案:正确
10.可以通过调整通入辅助气体的流速，改善反应离子刻蚀的效果。（ ）
A:对 B:错
答案:对
11.溶脱剥离的关键是光刻胶厚度远厚于沉积薄膜的厚度、侧壁沉积少和衬底不经历高温加热。（ ）
A:对 B:错

12.与光学曝光相比，电子束曝光产出率更高。（ ）
A:错误 B:正确 13.按照GB.5007S-2001规定，超净间等级数越低，颗粒越少。（ ）
A:正确 B:错误 14.硬接触式曝光即掩模与涂胶的硅片通过施加压力实现接触。（ ）
A:错 B:对 15.CVD沉积需要较高沉积温度，不适合溶脱剥离法。（ ）
A:错 B:对 16.广义上来说，激光加工、电火花加工和喷粉加工都可认为是干法刻蚀。（ ）
A:正确 B:错误 17.通过自组装过程形成的个体是疏松无序的状态。（ ）
A:错误 B:正确 18.超净间的作用只是“洁净”。（ ）
A:正确 B:错误 19.压印的对准与传统接触式光学曝光的对准相似，但对准精度更高。（ ）
A:对 B:错 20.成功实现侧壁光刻需要保证支撑结构的侧壁足够垂直，否则在清除顶部薄膜时会损伤侧壁薄膜。（ ）
A:错误 B:正确 21.微纳加工技术可应用于（ ）等相关器件。
A:微机械 B:微传感器 C:显示量子效应的电子与光子器件 22.光刻胶的分类包括（ ）。
A:正型光刻胶 B:中性光刻胶 C:负型光刻胶 23.LIGA技术主要包括（ ）。
A:红外LIGA技术 B:X射线LIGA技术 C:紫外LIGA技术 24.微纳加工的基本过程包含（ ）。
A:光刻 B:薄膜沉积 C:刻蚀 25.邻近效应主要表现为（ ）。
A:图形之间邻近效应 B:图形外邻近效应 C:图形之中邻近效应 26.判断薄膜沉积方法是否适用于溶脱剥离，主要考察（ ）。
A:局部氧化加工难度 B:沉积过程中的衬底温度 C:沉积的方向性 D:沉积的材料 27.电子束曝光技术广泛地应用于制造（ ）。
A:新型微纳结构器件 B:高精度光刻掩模版 C:纳米压印的印模 28.电子束曝光的邻近效应校正包括（ ）。
A:剂量校正 B:背景曝光补偿 C:图形尺寸补偿 29.曝光即通过光照改变（ ）性质。
A:硅片 B:掩膜 C:光刻胶 30.垂直抽减法利用的是SOI的（ ）的各向异性化学腐蚀和另一面的反应离子深刻蚀。
A:正面 B:反面 31.极紫外光刻技术使用（ ）在真空环境下产生紫外波长。
A:电子束 B:激光 C:X射线 32.光源会引起（ ）的化学反应。
A:光刻胶 B:衬底 C:衬底和光刻胶 33.（ ）导致大部分抗蚀剂曝光。
A:背散射电子 B:二次电子 C:二次电子和背散射电子 34.厚胶曝光技术用于要求光刻胶厚度为（ ）的微系统结构。
A:纳米级 B:微米级 C:毫米级 35.（ ）技术可用于制备透射电镜样品。
A:FIB B:热压键合 C:EBSD D:扫描探针加工 36.光学曝光技术包括（ ）。
A:投影式曝光 B:掩膜对准式曝光 C:X射线曝光 37.

刻蚀的主要参数有（ ）。

A:抗刻蚀比   B:刻蚀速率 C:方向性（各向异性度） 38.

在掩模对准式曝光技术中，随着掩模和光刻胶之间的间隙增大，曝光精度（）。

A:变差 B:不变 C:变优 39.

下面哪个波长与深紫外曝光光源的波长最为接近。

A:1000 nm B:10 nm C:100 nm 40.

等离子体刻蚀在微纳加工领域的主要应用是（ ）。

A:清洗焊盘 B:晶圆减薄 C:去除光刻胶未遮挡的衬底