- 高深宽比的印模，脱模时底部承受较大切应力，脱模较困难。（ ）
- 压印的对准与传统接触式光学曝光的对准相似，但对准精度更高。（ ）
- 溶脱剥离只可用于金属材料，不可用于非金属材料。（ ）
- I线波长比深紫外波长更小。（ ）
- 为了防止外界污染侵入洁净室，应保持洁净室静压低于非洁净区域。（ ）
- 按照GB.5007S-2001规定，超净间等级数越低，颗粒越少。（ ）
- 光刻胶的灵敏度越高，往往需要的曝光剂量越大，曝光时间越长。（ ）
- 用对比度高的光刻胶所得到的曝光图形具有较高的图形宽高比。（ ）
- CVD沉积需要较高沉积温度，不适合溶脱剥离法。（ ）
- 喷墨打印法有两种喷墨方式，其中断续喷墨必须压电驱动。（ ）
- 光刻胶一般不能作为碱性化学腐蚀的掩膜层。（ ）
- 光学曝光是最早用于半导体集成电路的微细加工技术。（ ）
- 大数值孔径是高分辨率成像的必要条件。（ ）
- 成功实现侧壁光刻需要保证支撑结构的侧壁足够垂直，否则在清除顶部薄膜时会损伤侧壁薄膜。（ ）
- 硬接触式曝光即掩模与涂胶的硅片通过施加压力实现接触。（ ）
- 如果衬底材料是晶体，在某原子排列稀疏的方向上，离子可能“长驱直入”，这就是沟道效应。（ ）
- 多步加工法可以制作在高密度图形的同时实现高分辨率。（ ）
- 模压指微米尺寸以上的图形转移，一般以热压为主。（ ）
- 广义上来说，激光加工、电火花加工和喷粉加工都可认为是干法刻蚀。（ ）
- 沟道效应不仅发生在晶体衬底材料中，还常发生在非晶衬底材料中。（ ）
- 紫外光固化纳米压印技术的过程包括（ ）。
- 集成电路生产应用的极紫外光源主要为（ ）。
- 微纳加工的基本过程包含（ ）。
- 刻蚀的主要参数有（ ）。
- 原子力显微镜工作模式包括（ ）。
- 中心限制膜孔的作用是（ ）。
- 光刻胶的分类包括（ ）。
- 电子束曝光的邻近效应校正包括（ ）。
- 塑料微成型技术包括（ ）。
- 邻近效应主要表现为（ ）。
- （ ）导致大部分抗蚀剂曝光。
- 曝光即通过光照改变（ ）性质。
- （ ）的英文名称可以是Stepper。
- h线曝光波长比i线曝光波长（ ）。
- X射线可以穿透（ ）。
- 电子束与固体间的主要相互作用为（ ）。
- 在掩模对准式曝光技术中，随着掩模和光刻胶之间的间隙增大，曝光精度（）。
- 洁净室一般需要大量的空调系统通过高效空气过滤器对空气进行过滤，并控制相应温度，洁净室温度为（ ）。
- 等离子体刻蚀在微纳加工领域的主要应用是（ ）。
- 下面哪个波长与深紫外曝光光源的波长最为接近。
- 自组装过程就是大量分子间弱作用力的简单叠加。（ ）
- 电子散射与入射电子能量和衬底材料性质有关。（ ）
- 单晶硅湿法腐蚀中，掩模与晶向的对准十分重要。 （ ）
- 矢量扫描曝光的电子束不只在曝光图形部分扫描。（ ）
- 可以通过调整通入辅助气体的流速，改善反应离子刻蚀的效果。（ ）
- 雪花的形成过程是一种自组装形成过程。（ ）
- Bosch工艺就是交替进行衬底刻蚀和边壁钝化。（ ）
- 自组装过程是一种大量分子自发的协同作用。（ ）
- 超净间的作用只是“洁净”。（ ）
- CVD是半导体工业中应用最为广泛的用来沉积多种材料的技术，包括大范围的绝缘材料，大多数金属材料和金属合金材料。（ ）
- 光刻胶一般由（ ）部分组成。
- 离子在材料中的碰撞包括（ ）。
- 刻蚀方法包括：（ ）。
- 电子束曝光技术广泛地应用于制造（ ）。
- 喷墨打印法根据原理可分为（ ）。
- 离子溅射产额不但与入射离子能量有关，而且与（ ）等参数有关。
- 光刻的第一步首先是（ ）。
- 纳米球阵列法利用的是纳米小球的（ ）。
- 垂直抽减法利用的是SOI的（ ）的各向异性化学腐蚀和另一面的反应离子深刻蚀。
- 静电透镜通过（ ）聚焦。
- 厚胶曝光技术用于要求光刻胶厚度为（ ）的微系统结构。
- 自组装过程通过基本单元（ ）组织或聚集，可形成一个稳定的、具有一定规则几何外观的结构。
- 自组装是指基本结构单元在氢键、静电力、疏水作用力、范德华力、π-π堆积作用和阳离子-π吸附作用间的（ ）推动下，自发形成热力学稳定、能量最低的、紧密的、有序结构的一种技术。
- 氢键是一种特殊的键，它具有一定的共价键特性即具有饱和性和方向性，但键合力远小于共价键。（ ）
- 硫醇类分子在表面形成SAM后可以实现固体表面功能化。（ ）
- 传统的平面集成电路加工技术是（ ）技术，分子自组装是（）技术。
- 目前，分子自组装纳米加工的优势是（ ）。
- 横向添加法用来获得窄间隙结构，横向抽减法用来获得窄线条结构。（ ）
- 侧壁沉积法中，沉积时应选择各向同性沉积，而刻蚀时应选择方向性好的各向异性刻蚀。（ ）
- 氧化削尖工艺依赖于氢氟酸能腐蚀（ ）而不能腐蚀（）。
- 垂直抽减法制作纳米通道和氧化横向抽减法的氧化削尖都用到了热氧化的工艺。（ ）
- 侧壁沉积法获得侧壁时用到了（ ）
- 飞秒激光加工是热加工。（ ）
- 与等离子体刻蚀不同，离子溅射刻蚀方法中等离子体产生区和样品刻蚀区是分开的。（ ）
- 反应离子刻蚀是离子轰击辅助的化学反应过程，其主要过程可以概括为（ ）。
- 传统机械加工中的喷粉工艺一般喷的是（ ）粉末。
- 湿法腐蚀二氧化硅的特点是（ ）。
- 溶脱剥离是薄膜沉积方法的目的之一。（ ）
- 溅射法成膜质量好，而且衬底温升较低，但方向性不如热蒸发沉积。 （ ）
- 图形转移分为（ ）。
- 薄膜沉积方法有（ ）等。
- 沉积合金薄膜时，溅射法更优于热蒸发法。 （ ）
- 紫外光固化纳米压印一般采用透明的印模。 （ ）
- 纳米压印包括阳模压印和阴模压印，阴模压印相对容易。（ ）
- 正坡度印模结构最适于脱模，零坡度视印模侧壁的表面粗糙度而定。 （ ）
- 热压纳米压印技术工艺流程为（ ）。
- 便于脱模，最易实施的方法是（ ）。
- STM通过（ ）对抗蚀剂曝光。
- 蘸笔纳米探针加工受（ ）等因素影响。
- 扫描探针显微镜工作模式包括（ ）。
- 当AFM以STM方式工作时，也可以用AFM实现对抗蚀剂的曝光。（ ）
- 与STM相比，用AFM进行扫描探针局部氧化加工更合适。 （ ）
- 垂直入射的离子可以获得最大的离子溅射产额。（ ）
- LMIS稳定发射的关键是液态金属与钨丝的良好浸润。（ ）
- 聚焦离子束系统的聚焦系统与电子束系统大致相同。（ ）
- 聚焦离子束系统存在空间电荷效应，可利用较小的发射电流来比避免该问题。（ ）
- 离子源按工作原理可分为（ ）。
- 先进的电子束曝光机主要适用于（ ）以下的超微细加工。
- 电子束曝光的曝光效率（ ）光学曝光。
- 曝光平面电子束斑包含各种像差，（ ）为主要像差。
- 电子枪包括发射电子的阴极和对发射电子聚束的电子透镜。（ ）
- 光栅扫描是对整个曝光场扫描，但电子束曝光快门只在曝光图形部分打开。（ ）
- 分辨率就是能够清晰分辨出间隔很近的特征图形的能力。（ ）
- 正胶在感光时，使聚合物发生交联。（ ）
- 软接触通过调整（ ）实现。
- 接触式曝光分为（ ）。
- 光学曝光的目的是把掩模上的图形成像到（ ）上。
- 间接加工技术就是光刻加图形转移技术。（ ）
- 刻蚀法图形转移技术的关键刻蚀参数：（ ）。
- 间接加工技术能够绕过现有设备加工能力极限，意指直接光刻技术，其图形结构的分辨率决定于某种光刻方法的分辨率。（ ）
- 微纳加工是以平面集成加工为代表的非传统的加工方法，加工形成的部件或结构本身的尺寸在（ ）量级。
- 光刻工艺的基本要素主要包括（ ）。
答案:对
答案:对
答案:错
答案:错
答案:错
答案:对
答案:错
答案:对
答案:对
答案:错
答案:对
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