模拟电子技术基础（湖南大学）第三章测试_智慧树知到答案2021年

第三章 二极管及其基本电路：了解半导体的基本知识，PN结的形成及导电机理。掌握二极管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数。熟练掌握二极管电路的分析方法与应用。3.1半导体的基本知识:物质的导电性能，半导体的特性，半导体的共价键结构，半导体的两种载流子 — 自由电子和空穴，空穴的导电特点；两种半导体 — 本征半导体和杂质半导体( P型半导体、N型半导体)。
3.2PN结的形成:载流子的漂移与扩散运动、PN结的形成
3.3PN结的特性:PN结的单向导电性、反向击穿、电容效应
3.4二极管:器件结构、I-V 特性、主要参数
3.5二极管的基本电路及其分析方法:二极管正向特性的四种模型及应用条件；二极管的基本应用电路及分析方法。根据电路正确选择二极管的等效模型和建立等效线性电路－要有分段线性化概念。
3.6特殊二极管:介绍稳压二极管

[单选题]一硅稳压管稳压电路如图所示。其中未经稳压的直流输入电压VI=18V，R=1kΩ，RL=2kΩ，硅稳压管DZ的稳定电压VZ=10V，动态电阻及未被击穿时的反向电流均可忽略。试求VO的值。
10V
0V
18V
12V
答案：10V
[单选题]一硅稳压管稳压电路如图所示。其中未经稳压的直流输入电压VI=18V，R=1kΩ，RL=2kΩ，硅稳压管DZ的稳定电压VZ=10V，动态电阻及未被击穿时的反向电流均可忽略。试求Io的值.
5mA
0mA
3mA
8mA[单选题]一硅稳压管稳压电路如图所示。其中未经稳压的直流输入电压VI=18V，R=1kΩ，RL=2kΩ，硅稳压管DZ的稳定电压VZ=10V，动态电阻及未被击穿时的反向电流均可忽略。试求IR的值.
0mA
3mA
8mA 
5mA[单选题]一硅稳压管稳压电路如图所示。其中未经稳压的直流输入电压VI=18V，R=1kΩ，RL=2kΩ，硅稳压管DZ的稳定电压VZ=10V，动态电阻及未被击穿时的反向电流均可忽略。试求IZ的值.
3mA
5mA
8mA
0mA[单选题]一硅稳压管稳压电路如图所示。其中未经稳压的直流输入电压VI=18V，R=1kΩ，RL=2kΩ，硅稳压管DZ的稳定电压VZ=10V，动态电阻及未被击穿时的反向电流均可忽略。试求RL值降低到多大时，电路的输出电压将不再稳定.
1.25kΩ
3kΩ
2.5kΩ
2kΩ