1.SPWM逆变调制技术包括（ ）
A:双极性SPWM逆变调制技术
B:单极性SPWM逆变调制技术
C:有选择性消除谐波的PWM技术
D:调制波注入三次谐波的SPWM逆变调制技术
答案:单极性SPWM逆变调制技术;
双极性SPWM逆变调制技术;
调制波注入三次谐波的SPWM逆变调制技术
2.对于Buck电路，输入电压400V，输出电压100V，MOSFET的开关频率100kHz，负载电阻100欧姆，为了保证电感电流连续，则电感值可以取为 （ ）
A:0.4mH
B:0.35mH
C:0.425mH
D:0.375mH
答案:0.375mH
3.以下哪些器件是只有电子参与工作的 （ ）
A:PN结功率二极管
B:肖特基功率二极管
C:功率MOSFET
D:IGBT
答案:肖特基功率二极管###功率MOSFET
4.以下哪些直流变换电路能实现升压 （ ）
A:推挽隔离Buck变换器
B:Sepic电路
C:Boost电路
D:Buck电路
答案:推挽隔离Buck变换器###Boost电路###Sepic电路
5.以下哪些直流变换电路能实现升降压 （ ）
A:Buck-Boost电路
B:Boost电路
C:Buck电路
D:反激式变换器
答案:Buck-Boost电路;
反激式变换器
6.肖特基功率二极管相比于PN结功率二极管，具有以下哪些特性 （ ）
A:低导通电压
B:阻断电压低
C:短开关时间
D:反向漏电流小
答案:低导通电压###短开关时间###阻断电压低
7.全桥方波逆变电路的特点为（ ）
A:直流母线电压利用率较低
B:输出电压调节能力差
C:输出电压谐波含量丰富
D:直流母线端无功电流大
答案:输出电压调节能力差;
输出电压谐波含量丰富;
直流母线端无功电流大
8.下面关于逆变器PWM优化技术描述正确的是（ ）
A:有选择性消谐波的PWM技术基波幅值最高
B:方波逆变技术谐波性能最差
C:SPWM逆变技术损耗最小
D:方波逆变技术损耗最小
答案:方波逆变技术损耗最小###方波逆变技术谐波性能最差
9.一台电压外环、电流内环的逆变器设计主要包含（ ）
A:滤波电容设计
B:功率器件设计
C:滤波电感设计
D:双环控制器参数设计
答案:滤波电感设计;
滤波电容设计;
功率器件设计;
双环控制器参数设计
10.直流变换电路能完成以下哪些功能 （ ）
A:变换为交流电压
B:有源滤波
C:直流电幅值变换
D:直流电极性变换
答案:直流电幅值变换;
直流电极性变换;
有源滤波
11.对于Buck电路，输入电压10V，输出电压5V，MOSFET的开关频率100kHz，负载电阻10欧姆，电感电流纹波峰峰值为其直流分量的20%，则电感值为 （ ）
A:0.35mH
B:0.3mH
C:0.2mH
D:0.25mH
A:20W B:30W C:25W D:40W 13.
单相半控(SCR+D)桥式带续流二级管(D3)整流电路如图所示。单相电源电压US=220V/50Hz，带大电感与电阻负载，R=5Ω，SCR控制角α=60°，计算该电路。感性负载L-R上的电压Ud值，该整流电路的网侧有功功率P，最接近以下哪个（）
A:4.5kW B:2kW C:1kW D:10kW 14.Boost 电路，设输入电压为100V，电感L 为1000μH，电容C 无穷大，输出接10Ω 的电阻，电路的工作频率是50kHz，MOSFET导通的占空比是0.5，则MOSFET阻断时的电压为 （ ）。
A:400V B:200V C:250V D:300V 15.对于Buck电路，输入电压10V，输出电压5V，MOSFET的开关频率100kHz，负载电阻10欧姆，电感电流纹波峰峰值为其直流分量的20%，则电感值为 （ ）
A:0.35mH B:0.3mH C:0.2mH D:0.25mH 16.以下概念，哪个是不正确的是（ ）
A:谐波电流有一定的幅度，和基波电压同时作用，会产生有功功率。 B:SCR整流电路，影响电网主要是输入电流谐波， C:单相boost PFC电路结构较简单，所以经常用于几十kW的整流应用。 D:用于直流输电的SCR整流电路，为了减小无功，控制角要很小（如，通常＜8°）。 17.对于Buck电路，输入电压400V，输出电压100V，MOSFET的开关频率100kHz，负载电阻10欧姆，电感电流连续，其纹波峰峰值为其直流分量的10%，则占空比为 （ ）
A:0.3 B:0.2 C:0.4 D:0.25 18.带有控制角的 SCR整流电路中，原来导通的SCR换流关断，是由于（ ）
A:电流小于维持电流 B:没有门极驱动 C:电网电压正负极性发生了改变 D:SCR负压关断 19.
三相SCR电流型整流电路对电池进行充电，电网电压为380Vac-rms/50Hz，电池组电压位257Vdc，如果充电电流为100A, 该整流电路的网侧电流失真度（THD）最接近以下哪个？（）
A:5%. B:60% C:30% D:15% 20.下面哪个逆变技术的谐波性能最优：( )
A:有选择性消谐波的PWM技术 B:方波逆变技术 C:倍频SPWM技术 D:传统(不倍频)SPWM技术 21.特大功率的整流，通常采用以下哪种电路方案（ ）
A:三相高频PWM整流电路 B:移相多脉整流 C:二极管电容组成的整流电路. D:Boost-PFC 22.如果希望提高三相SCR整流电路的电网侧功率因数，以下哪种措施有有效的：（ ）
A:应用于控制角较小的场合 B:增大电感Ld C:采用SPWM高频控制. D:输入侧增加电感Lk 23.单相方波逆变电路输出电压的THD值大约为：( )
A:140% B:120% C:48% D:70% 24.单相交流调压电路，感性负载，触发角ɑ的移相范围为Φ≤ɑ≤π。 （ ）
A:对 B:错 25.Boost电路开关导通时，电感电流变化率为Ud/L。 （ ）
A:错误 B:正确 26.Buck电路，增大输出电蓉C，可以减小输出电压脉动和电感电流脉动。 （ ）
A:错 B:对 27.所谓脉冲宽度调制的方法是一种在整个工作过程中，开关频率不变，而开关接通的时间按照要求变化的方法。（ ）
A:对 B:错 28.三相半桥方波逆变器直流电压利用率为0.9。（ ）
A:错误 B:正确 29.直流变换电路=方波逆变电路+全波或全桥整流电路。（ ）
A:正确 B:错误 30.功率MOSFET具有电导调制效应。 （ ）
A:错误 B:正确 31.功率MOSFET耐压越高的器件，其导通电阻越大。 （ ）
A:错 B:对 32.单相交流调压电路，阻性负载，触发角ɑ的移相范围为0≤ɑ≤π。 （ ）
A:正确 B:错误 33.由于晶闸管在触发导通时积累的非平衡载流子，在关断时需要恢复时间，使其可靠关断，因此需要在tβ＞tq之后再施加正向电压而不会导通。 （ ）
A:错误 B:正确 34.功率场效应晶体管的导通是因为形成了反型层。 （ ）
A:错误 B:正确 35.所谓脉冲频率调制的方法是一种在整个工作过程中，开关接通的时间不变，而开关频率按照要求变化的方法。 （ ）
A:错 B:对 36.单相交流调压电路，感性负载，触发角ɑ的移相范围为0≤ɑ≤π。 （ ）
A:对 B:错 37.Cuk电路的中间电容C1，在其中起到Boost电路的输出电容、Buck电路的输入电容的作用。 （ ）
A:错误 B:正确 38.PN结功率二极管是利用PN结势垒制成的二极管。 （ ）
A:对 B:错
