第二章单元测试
- 普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。
- 已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ）。
- 功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ ）。
- 为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（ ）。
- 具有自关断能力的电力半导体器件称为( )。
- 若晶闸管电流有效值是157A.，则其额定电流为 （ ）。
- 电力电子器件一般具有的特征有（ ）。
- 电力电子器件按照其控制器通断的能力分为（ ）器件。
- 普通晶闸管内部有两个PN结。 （ ）
- 电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。 （ ）
A:有效值
B:平均值
C:最大值
D:最小值
答案:有效值
A:减小至维持电流以下
B:减小至门极触发电流以下
C:减小至擎住电流以下
D:减小至5A以下
答案:减小至维持电流以下
A:一次击穿
B:反向截止
C:二次击穿
D:临界饱和
答案:二次击穿
A:抗饱和电路
B:di/dt抑制电路
C:du/dt抑制电路
D:吸收电路
答案:抗饱和电路
A:半控型器件
B:触发型器件
C:不控型器件
D:全控型器件
答案:全控型器件
A:157A
B:246.5A
C:80A
D:100A
答案:100A
A:一般工作在开关状态
B:一般需要信息电子电路来控制
C:所能处理电功率的大小是其最重要的参数
D:不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器
答案:一般工作在开关状态
###一般需要信息电子电路来控制
###所能处理电功率的大小是其最重要的参数
###不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器
A:不控型
B:半控型
C:全控型
答案:不控型
###半控型
###全控型
A:对 B:错
答案:错
A:对 B:错
答案:错
温馨提示支付 ￥3.00 元后可查看付费内容,请先翻页预览!
