半导体物理(I)章节测试课后答案2024秋

第三章单元测试

1. T>0K时，关于费米分布函数，以下说法正确的是（ ）。

A:当E=E_F时，f(E)=50%，与温度大小无关。 B:当E<E_F时，f(E)>50%且f(E)随T的增大而增大。 C:当E>E_F时，f(E)>50%且f(E)随T的增大而增大。 D:随E的增大，f(E)单调增大。
答案:当E=E_F时，f(E)=50%，与温度大小无关。


2. 关于本征半导体，以下说法正确的是（ ）。


A:不含杂质的半导体，称为本征半导体。 B:随着T增大，费米能级E_i趋于禁带中线。 C:对于本征Si，只含有声学波散射机构。 D:费米能级E_i处在禁带中线附近。
答案:对于本征Si，只含有声学波散射机构。


3. 关于强电离区n型非简并半导体，以下说法正确的是（ ）。


A:费米能级随施主浓度增大远离导带底E_c B:空穴浓度与施主浓度成反比 C:载流子浓度几乎不随温度而变化 D:费米能级随温度增大趋于导带底E_c
答案:空穴浓度与施主浓度成反比


4. 对于n型非简并半导体，以下说法正确的是（ ）。


A:n₀、p₀表达式不适用于本征半导体 B:n₀p₀积与温度T无关 C:n₀p₀积与E_F无关 D:p₀与掺杂浓度N_D无关
答案:n₀p₀积与E_F无关


5. 对于n型非简并半导体所处的五个温区，以下说法正确的是（ ）。


A:中间电离区电子和空穴浓度大小可以相比拟 B:强电离区的本征激发不可忽略不计 C:低温弱电离区的载流子浓度几乎不随温度而变化 D:过渡区的电子和空穴浓度大小可以相比拟
答案:过渡区的电子和空穴浓度大小可以相比拟

• «
• 1
• 2
• 3
• 4
• 5
• »