- 杂质浓度ND越高，半导体达到全部电离的温度就越高。（ ）
- 器件生产中的掺金工艺是缩短少子寿命的有效手段，通过改变Si中金含量，可以大幅度调整少子的寿命。（ ）
- 随着温度的降低，载流子由以杂质电离为主要来源过渡到以本征激发为主要来源。（ ）
- 半导体中几种散射机构同时存在时，总迁移率等于各种散射机构所决定的迁移率之和。（ ）
- 对Si和Ge性质起作用的主要是重空穴带和轻空穴带，因为第三带中空穴不常出现。（ ）
- 迁移率是单位电场强度下电子的平均漂移速度，它的大小反映了电子在电场作用下运动能力的强弱。（ ）
- 锑化铟的本征费米能级Ei远在禁带中线之上。（ ）
- 半导体中的杂质和缺陷不但影响其导电性能，还影响其寿命。（ ）
- 表面复合属于直接复合，直接复合理论适用于表面复合。（ ）
- 载流子做漂移运动时，只在连续的两次散射之间才做加速运动。（ ）
- 在一定温度下，随电子能量E增加到一定程度，量子态被电子占据的概率指数性减小。（ ）
- 利用杂质补偿作用可以获得半导体器件的基本结构单元PN结。（ ）
- 本征半导体就是一块没有杂质和缺陷的半导体。（ ）
- 杂质浓度ND越高，半导体达到过度区的温度也越高。（ ）
- 每个允带中的能级可以看做是准连续的，是因为在极小的能量区间内分布了极多的能级。（ ）
- 当温度趋于0K时，费米能级EF趋于ED和Ei的中线处。（ ）
- 表面复合也是间接复合，间接复合理论同样适用于表面复合过程。（ ）
- 离化的杂质原子周围会形成库仑势场，载流子因运动靠近后其速度大小会发生改变，也就是发生了散射，这种散射机构就称作电离杂质散射。（ ）
- 声学波代表原胞中两个原子相位相反的振动，长声学波原胞质心不动。（ ）
- 单电子近似模型的意义是将复杂的原子核-电子混合系统中核与电子“作用力”加以分离，把众多电子相互牵制的复杂多电子问题近似为大量电子对单个电子的影响只是一个平均值。（ ）
- 随着温度的升高，EF从位于杂质能级附近逐渐移近禁带中线处。（ ）
- 对于n型半导体，费米能级EF位于Ei之上，杂质浓度ND越大，费米能级EF越高。（ ）
- 对于经过杂质补偿的N型半导体，在杂质充分电离时，电离杂质散射几率中的Ni应为ND-NA。（ ）
- 砷化镓中Nc比Nv小的多，导带电子比价带空穴更容易发生简并化。（ ）
- Si、Ge半导体的寿命由直接复合过程所决定。（ ）
- 半导体的电阻率可以直接采用四探针法测量得到，因而应用更加普遍。（ ）
- 处于强电离区的多子浓度与温度无关。（ ）
- 本征半导体的费米能级Ei位于禁带中线处。（ ）
- 杂质补偿的作用是改变半导体中特定区域的导电类型。（ ）
- 对于n型半导体的直接复合过程，复合率（ ）。
- 以下有关有效质量的说法，正确的是（ ）。
- 当温度升高时，杂质半导体中的电离杂质散射几率和晶格振动声学波散射几率的变化分别是（ ）。
- 格波能量是不连续的，当格波与其他物质相互作用而交换能量时，格波能量的变化只能是hνa的整数倍。（ ）
- 对于n型简并半导体，价带空穴服从玻尔兹曼统计律。（ ）
- 半导体中的电子受周期性势场作用（ ）。
- 在杂质半导体中费米能级EF的位置不但反映了半导体的导电类型，而且还反映了半导体的掺杂水平。（ ）
- 如果一维半导体的非平衡载流子浓度线性减小，则浓度梯度和扩散流密度分别是（ ）。
- 半导体简并的原因是重掺杂。（ ）
- 禁带宽度Eg越小的半导体的极限工作温度越高。（ ）
- 用强光照射p型半导体，其内部载流子关系正确的一项是（ ）。
- 施主杂质电离后向半导体提供（ ）。
- 一块半导体样品，用适当频率的光照射从而在样品中产生非平衡载流子，其中非平衡少子寿命为5μs。若光照突然停止15μs后，则非平衡载流子浓度将衰减到原来的（ ）。
- 当一种n型半导体的少子寿命由直接复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（ ）。
- 半导体中由于浓度差引起的载流子的运动是（ ）。
- 光照下的半导体，其（ ）。
- 有关k空间等能面，以下说法正确的是（ ）。
- 受主杂质电离后向半导体提供（ ）。
- 室温下，半导体Si中掺入浓度为5×1014cm-3的磷杂质后，如果再一次向该半导体中掺入浓度为1.5×1015cm-3的硼杂质，则半导体中多数载流子为（ ）。
- 室温下，半导体Si中掺入浓度为1014cm-3的磷杂质，以下关于半导体中多数载流子类型和费米能级位置正确的选项是（ ）。
- 在小注入的情况下，起主导和决定作用的载流子是多数载流子。（ ）
- 关于半导体内部作用，以下说法正确的是（ ）。
- 有关非平衡载流子的寿命，以下说法正确的是（ ）。
- 器件生产中的掺金工艺是缩短少子寿命的有效手段，通过改变Si中金含量，可以大幅度缩短少子的寿命。（ ）
- 关于表面复合，以下说法正确的是（ ）。
- 温度高到本征导电起主要作用时，一般器件就不能正常工作了。（ ）
- 随着温度的升高，杂质半导体中载流子受电离杂质散射的几率增大。（ ）
- 光学波代表原胞中两个原子相位相同的振动，长光学波代表原胞质心的振动。（ ）
- 载流子在电场作用下的运动为（ ）。
- 对多能谷半导体，如果用电导有效质量代替有效质量，迁移率仍具有和各向同性半导体迁移率相同的表达形式。（ ）
- T>0K时，关于费米分布函数，以下说法正确的是（ ）。
- 关于本征半导体，以下说法正确的是（ ）。
- 对于n型非简并半导体，以下说法正确的是（ ）。
- 对于n型非简并半导体所处的五个温区，以下说法正确的是（ ）。
- 关于强电离区n型非简并半导体，以下说法正确的是（ ）。
- 只形成原子空位的点缺陷称为（ ）。
- 电离后向导带提供电子的杂质称为（ ）。
- Au在Ge中电离后可以引入四个能级，且都是深能级。（ ）
- 室温下，在硅材料中掺入浓度为1015cm-3的杂质硼（ ），则引入的杂质能级（ ）。
- 杂质对于半导体导电性能有很大影响，下面哪两种杂质分别掺杂在硅中能显著地提高硅的导电性能（ ）。
- 关于回旋共振实验，以下说法正确的是（ ）。
- 单电子近似包含了晶体无杂质和缺陷、晶体中原子固定不动两方面的理想化。（ ）
- 自由电子惯性质量是m0，而半导体中的电子由于受到半导体中原子核和其他大量电子的势场力影响，其质量变成了有效质量mn*。（ ）
- 电子在晶体中的共有化运动指的是（ ）。
- 有效质量的引入，使得在研究晶体中电子的运动时（ ）。
答案:对
答案:对
答案:错
答案:错
答案:对
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