第四章单元测试
  1. 下列电力电子器件中,属于单极型的器件是( )。

  2. A:电力二极管
    B:MOSFET
    C:GTR
    D:光控晶闸管

    答案:MOSFET

  3. 下列电力电子器件中,属于电流控制型的器件是( )。

  4. A:GTR
    B:MOSFET
    C:IGBT
    D:SITH
  5. 下列器件中,最适合用在小功率、高开关频率场合的是( )。

  6. A:GTR
    B:GTO
    C:IGBT
    D:MOSFET
  7. 下列电力电子器件中,属于复合型的器件是( )。

  8. A:IGCT
    B:MOSFET
    C:电力二极管
    D:GTR
  9. 在电力电子器件的驱动电路中,一般采用的电气隔离有( )。

  10. A:电容隔离和磁隔离
    B:光隔离和磁隔离
    C:电感隔离和磁隔离
    D:光隔离和电感隔离
  11. IGBT是MOSFET与GTR复合而成的。( )

  12. A:错 B:对
  13. 电力电子电路的开关频率越高,开关损耗越小。( )

  14. A:对 B:错
  15. IGBT与MOSFET相比,其通态电阻较大,因而导通损耗也较大。( )

  16. A:对 B:错
  17. 阳极电流为1000A的GTO,其电流关断增益为5,则关断时门极所加的负脉冲电流约200A。( )

  18. A:错 B:对
  19. 电力电子电路中,IGBT工作于输出特性曲线的放大区。( )

  20. A:对 B:错

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