第四章单元测试
测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 ( )。
放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是：（ ）
放大电路在低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是（ ）。
已知某电路电压放大倍数如下所示，则其中频增益为
已知某电路电压放大倍数如下所示，则其下边界频率为10Hz。
已知某电路由两级相同的放大电路组成，其中单级放大电路的下边界频率为100Hz，则该电路的下边界频率大于100Hz。
当信号频率等于放大电路的fL或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的 ( )。
当信号频率等于放大电路的fL或fH时，增益比中频时下降的分贝数为 ( )。
对于单管共射放大电路，当f=fL时，Uo与Ui相位关系是( )。
对于单管共射放大电路，当f =fH 时，Uo与Ui相位关系是 ( )。
在如图所示电路中，若Ce突然开路，则中频电压放大倍数Ausm？
在如图所示电路中，若Ce突然开路，则下边界频率fL：
在如图所示电路中，若Ce突然开路，则上边界频率fH会增大。
利用Multisim分析电路的频率响应时，可采用的虚拟仪器或分析方法有：
利用Multisim波特图仪分析电路的频率响应时，必须在信号输入端连接：
某电路由多级放大电路级联而成，则总电路的下边界频率：
某电路由多级放大电路级联而成，则总电路的上边界频率：
某电路由两级放大电路级联而成，则总电路的带宽：
晶体管简化混合π模型中考虑了以下因素：
晶体管参数一定、电路结构一定，通过改变其他电路参数提高电路放大倍数时，必然导致带宽的降低。
A:输入电压幅值不变，改变频率 B:输入电压频率不变，改变幅值 C:输入电压的幅值与频率同时变化
答案:输入电压幅值不变，改变频率
A:耦合电容和旁路电容的存在 B:半导体管的非线性特性 C:放大电路的静态工作点不合适 D:半导体管极间电容和分布电容的存在
A:半导体管的非线性特性 B:耦合电容和旁路电容的存在 C:放大电路的静态工作点不合适 D:半导体管极间电容和分布电容的存在
A:40dB B:20dB C:10 D:100
A:对 B:错
A:错 B:对
A:0.6 B:0.5 C:0.9 D:0.7
A:4 B:6
C:3 D:9
A:+ 45度 B:-135度 C:-90度 D:-180度
A:− 45度 B:− 135度 C:− 180度 D:− 225度
A:增大 B:基本不变 C:减小
A:增大 B:减小 C:基本不变
A:错 B:对
A:万用表 B:波特图仪 C:交流分析 D:瞬态分析
A:直流电源 B:交流电源 C:信号源 D:白噪声信号发生器
A:大于或等于各级放大电路最小的下边界频率值。 B:小于或等于各级放大电路最大的下边界频率值。 C:小于或等于各级放大电路最小的下边界频率值 D:大于或等于各级放大电路最大的下边界频率值。
A:小于或等于各级放大电路最小的上边界频率值。 B:小于或等于各级放大电路最大的上边界频率值 C:大于或等于各级放大电路最小的上边界频率值。 D:大于或等于各级放大电路最大的上边界频率值
A:小于单级放大电路的带宽 B:等于单级放大电路的带宽。 C:大于单级放大电路的带宽。
A:晶体管的发射结电容。 B:晶体管的发射结电阻 C:晶体管的集电结电阻 D:晶体管的集电结电容
A:错 B:对
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