电力电子技术（邵阳学院）答案2023秋

第二章测试

1.

电力电子驱动电路必须提供控制电路与主电路之间的电气隔离，一般采用光隔离与磁隔离。

A:对 B:错
答案:A
2.

电力电子器件的损耗包括通态损耗与断态损耗。

A:错 B:对 3.

电力MOSFET栅源电压不能大于10伏，否则将导致绝缘层击穿

A:错 B:对 4.

可关断晶闸管（gto）是一种（      ）结构的半导体器件

A:三层二端 B:五层三端 C:四层三端 D:三层三端 5.

晶闸管导通的条件是（      ）

A:阳极加反向电压，门极有正向脉冲 B:阳极加正向电压，门极有正向脉冲 C:阳极加反向电压，门极有负向脉冲 D:阳极加正向电压，门极有负向脉冲 6.

晶闸管内部有（     ）PN结。

A:二个 B:三个 C:四个 D:一个 7.

单结晶体管内部有（     ）个PN结

A:四个 B:三个 C:一个 D:二个 8.

功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（     ）

A:一次击穿 B:临界饱和 C:反向截止 D:二次击穿 9.

下列电力电子器件中，属于电压驱动型的是（     ）

A:GTO B:SCR C:GTR D:IGBT 10.

下列器件中，属于电流型驱动的是（     ）

A:GTO B:SCR C:GTR D:IGBT