第十章测试
1.下列关于固相析出说法正确的是( )。
A:和析出速度无关
B:析出速度慢产生的是沉淀
C:沉淀和晶体会同时生成
D:析出速度慢产生的是结晶

答案:D
2.在什么情况下得到粗大而有规则的晶体( )。
A:晶体生长速度等于晶核生成速度
B:晶体生长速度大大低于过晶核生成速度
C:晶体生长速度大大超过晶核生成速度
D:晶体生长速度持续升高
3.结晶法对溶剂选择的原则是( )。
A:对有效成分溶解度小,对杂质溶解度大
B:对有效成分溶解度大,对杂质溶解度小
C:对有效成分热时溶解度大冷时溶解度小,对杂质冷热都溶或都不溶
D:对有效成分冷热时都溶,对杂质则不溶
4.将四环素粗品溶于pH2的水中,用氨水调pH4.5—4.6,28-30℃保温,即有四环素沉淀结晶析出 。此沉淀方法称为( )。
A:透析结晶法
B:等电点法
C:盐析结晶法
D:有机溶剂结晶法
5.下列方法中不属于沉淀法的是:( )。
A:加入有机聚合物析出法
B:结晶
C:盐析法
D:等电点法
6.下列关于“结晶”和“沉淀” 的叙述不正确有:( )。
A:形成晶形物质的过程称为“结晶”
B:从溶液中形成新相的角度来看,结晶和沉淀本质上是不一致的
C:得到无定形物质的过程称为“沉淀”
D:从溶液中形成新相的角度来看,结晶和沉淀在本质上是一致的。
7.从溶液中结晶的晶体不具有的性质是:( )。
A:自范性
B:各向异性
C:均匀性
D:各向同性
8.结晶过程包括哪三个步骤:( )。
A:形成过饱和溶液、晶核形成和晶体生长。
B:形成过饱和溶液、晶体生长和重结晶
C:晶核形成、晶体生长和重结晶
D:晶核形成、形成过饱和溶液和晶体生长
9.下列不是影响晶体纯度的因素有:( )。
A:晶习
B:母液在晶体表面的吸藏
C:二次成核
D:形成晶簇,包藏母液
10.对于接触成核优点的叙述不正确的是:( )。
A:易实现稳定操作的控制
B:产生晶核所需的能量非常之低,被碰撞的晶体不会造成宏观上的磨损。
C:溶液过饱和度对接触成核影响很大
D:这种成核过程是在低过饱和度下进行的,能得到优质产品

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