第二章单元测试
- NMOS和PMOS器件的小信号模型一致。（ ）
- MOS管器件流控电压源。（ ）
- MOS管的小信号输出电阻是由 MOS 管的体效应产生的。（ ）
- MOS器件中，保持 VDS 不变，随着 VGS的增加， MOS 器件将从截止区到线性区最后到饱和区。（ ）
- 在CMOS 模拟集成电路设计中，我们一般让MOS 管工作在（ ）区。
- MOS管一旦出现 () 现象，此时的 MOS 管将进入饱和区。（ ）
( ) 表征了MOS器件的灵敏度。
- 模拟集成电路设计中可使用大信号分析方法的是（ ）
A:错 B:对
答案:对
A:对 B:错
答案:错
A:对 B:错
答案:错
A:对 B:错
答案:错
A:饱和区 B:亚阈值区 C:三极管区 D:深三极管区
答案:饱和区
A:夹断 B:耗尽 C:反型 D:导电
答案:夹断
A:ro B:uncox C:gmb D:gm
答案:gm
A:输入电阻 B:增益 C:输出电阻 D:输出摆幅
答案:输出摆幅
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