第七章单元测试
  1. N 型 半 导 体 中 空 穴 数 量 远 比 电 子 少 得 多,因 此 该 半 导 体 应( )。

  2. A:不 带 电 B:带 负 电 C:带 正 电 D:不一定
    答案:不 带 电
  3. 要使晶体管工作在放大状态,需要( )。

  4. A:发射结正偏,集电结正偏 B:发射结正偏,集电结反偏 C:发射结反偏,集电结反偏 D:发射结反偏,集电结正偏
  5. 工 作 在 饱 和 状 态 的PNP 型 晶 体 管, 其 三 个 极 的 电 位 应 为( )。

  6. A:VB >VE,VB< VC,VE >VC B:VE >VB,VC >VB,VE >VC C:VB >VE , VB< VC , VE <VC D:VE >VB,VC< VB,VE >VC
  7. 放大电路的性能指标包括( )。

  8. A:输入电阻 B:输出电阻 C:放大倍数 D:通频带
  9. 放大倍数的定义不包括( )。

  10. A:共轭放大倍数 B:电压放大倍数 C:互阻放大倍数 D:电流放大倍数
  11. 静态时,晶体管处于导通状态。( )

  12. A:对 B:错
  13. NPN型与PNP型三级管均由三层半导体构成。( )

  14. A:对 B:错

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