第二章测试1.
p型硅掺杂V族元素,n型硅掺杂III族元素。
A:对 B:错
答案:B
2.
半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。
A:错 B:对 3.
以能带隙种类区分,硅属于直接能带隙半导体。
A:错 B:对 4.
以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型?
A:单晶体 B:非晶体 C:结晶体 D:多晶体 5.
从能级角度上看,导体就是禁带宽度很小的半导体。
A:对 B:错 6.
半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。
A:错 B:对 7.
在半导体中的空穴流动就是电子流动。
A:对 B:错 8.
通常来说,晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。
A:对 B:错 9.
温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为()?
A:1/4 B:1 C:0 D:1/2 10.
通常对于同种半导体材料,掺杂浓度越高,载子迁移率越低。
A:对 B:错
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