半导体技术导论答案2023

第三章测试

1.

通常情况下，pn结p区和n区的半导体材料不相同。

A:对 B:错
答案:B
2.

pn结加反偏压时，总电流为0。

A:错 B:对 3.

平衡状态下pn结的能带图中，p区和n区的费米能级是分开的。

A:对 B:错 4.

金属与n型半导体接触形成欧姆接触，此时金属的功函数应当大于半导体的功函数。

A:对 B:错 5.

欧姆接触也称为整流接触。

A:错 B:对 6.

通常，超晶格结构是基于异质结设计的。

A:对 B:错 7.

n型增强型MOSFET的基底是n型半导体。

A:错 B:对 8.

MOSFET的饱和漏极电流大小是由漏极电压决定的。

A:对 B:错 9.

MOSFET的栅极氧化层采用High-K材料的目的是增加栅极电容。

A:错 B:对 10.

BJT可用于恒定电流源的设计。

A:对 B:错