第四章测试
1.

P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的:


A:锂元素 B:硅元素 C:硼元素 D:磷元素
答案:C
2.

二极管两端加正向电压时:


A:一定导通 B:超过0.7 V导通 C:超过0.3 V才导通 D:超过死区电压才导通 3.

PN结加正向电压时,空间电荷区将:


A:变窄 B:变厚 C:基本不变 D:变宽 4.

为保证稳压管具有稳定的稳压值,应该:


A:动态内阻较大,电压温度系数的绝对值较小 B:动态内阻较小,电压温度系数的绝对值较小 C:动态内阻较小,电压温度系数的绝对值较大 D:动态内阻较大,电压温度系数的绝对值较大 5.

NPN型三极管,三个电极的单位分别有VC=3.3 V,VE=3 V,VB=3.7 V,则该管工作在:


A:放大区 B:截止区 C:击穿区 D:饱和区 6.

晶体管工作在截止区时,各电极电压应使PN结为:


A:集电结,发射结均反偏 B:集电结反偏,发射结正偏 C:集电结,发射结均正偏 D:集电结正偏,发射结反偏 7.

本征半导体中的空穴是:


A:半导体晶格中的缺陷 B:带负电的离子 C:带正电的离子 D:电子脱离共价键后留下的空位 8.

如果半导体二极管正反向阻值都无穷大,说明二极管:


A:正常 B:内部断路 C:性能差 D:内部短路 9.

PN结的P区接电源负极,N区接电源正极,称为:


A:零偏置 B:双向偏置 C:正向偏置 D:反向偏置 10.

三极管基极电流的变化量为0.02 mA,三极管的电流放大倍数为90,则该三极管发射极电流的变化量为:


A:2.00 mA B:1.78 mA C:1.80 mA D:1.82 mA

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