第五章测试1.刻蚀是用化学方法有选择地从硅片表面去除不需要的材料的过程。（ ）
A:错 B:对
答案:A
2.湿法刻蚀是各向同性腐蚀。（ ）
A:错 B:对 3.干法刻蚀有各向同性腐蚀，也有各向异性腐蚀。（ ）
A:对 B:错 4.选择比指在不同刻蚀条件下，刻蚀一种材料对另一种材料的刻蚀速率之比。（ ）
A:对 B:错 5.同一晶体不同晶面的原子键密度不一样，导致刻蚀速率不一样。（ ）
A:对 B:错
温馨提示支付 ￥3.00 元后可查看付费内容,请先翻页预览!
A:错 B:对
答案:A
2.湿法刻蚀是各向同性腐蚀。（ ）
A:错 B:对 3.干法刻蚀有各向同性腐蚀，也有各向异性腐蚀。（ ）
A:对 B:错 4.选择比指在不同刻蚀条件下，刻蚀一种材料对另一种材料的刻蚀速率之比。（ ）
A:对 B:错 5.同一晶体不同晶面的原子键密度不一样，导致刻蚀速率不一样。（ ）
A:对 B:错
