电力电子技术答案2023秋

第二章测试

1.

按载流子(电子和空穴)参与导电的情况分单极型、 双极型、混合型三种。 

A:对 B:错
答案:A
2.

能用控制信号控制开通，但不能控制关断的功率半导体器件，称为半控型器件。                    

A:对 B:错 3.

使晶闸管维持导通所必需的最小电流称作维持电流。  

A:对 B:错 4.

可关断晶闸管(GTO)是一种(   )结构的半导体器件。

A:三层二结                                                     B:三层三结 C:四层三结                                                     D:五层三结 5.

电力MOSFET内部寄生了一个反向二极管，所以不能承受反向电压。（   ）

A:错 B:对 6.

下面哪种器件属于电压驱动型(    )

A:scr
B:igbt
C:gtr
D:gto
7.

擎住效应是由于IGBT中寄生的二极管造成的。  

A:对 B:错 8.

当GTR的集电极电压升高至击穿电压时，集电极电流I_C迅速增大，这种首先出现的击穿是雪崩击穿，称为

A:反向击穿 B:临界饱和      C:一次击穿         D:二次击穿      9.

下面属于外因过电压的是

A:电力二极管关断过电压    B:晶闸管反向阻断恢复过电压 C:雷击过电压             
D:IGBT关断过电压 
10.

晶闸管串联工作时为了防止静态不均压，可采用并联均压电阻的办法。

A:对 B:错 1.

单相桥式全控整流电路需要用到的开关器件个数是（）

A:4 B:2 C:3 D:6 2.

单相桥式全控整流电路晶闸管承受的最大反压是（）

A:380V B:14.1V C:141.4V D:220V 3.

单相半波可控整流电路中电阻性负载，则a角的移相范围是（）

A:120度 B:180度 C:240度 D:90度 4.

单相全波整流电路中晶闸管承受的最大电压是（）

A:380V B:311V C:220V D:622V 5.

单相半波可控整流电路中，阻感性负载，若a为定值，φ越大，则导通角θ（）

A:不影响 B:越大 C:越小 D:为零 6.

单相全波电路有利于在（）的场合应用

A:高输出电压 B:低输出电压 C:小电流输出 D:中电压 7.

单相桥式整流电路中带大电感负载加续流二极管可有效防止故障失控现象。

A:对 B:错 8.

电力二极管在并联联接使用时必须注意二者均流问题。

A:对 B:错 9.

单相桥式全控整流电路中，需要用到的晶闸管个数为6个。

A:对 B:错 10.

单相桥式全控整流电路的自然换相点是交流相电压的过零点

A:对 B:错 1.三相桥式全控整流电路中的六个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差60 º 。（ ）
A:错 B:对 2.全控整流电路中开关器件均为可控器件。（ ）
A:错 B:对 3.半控整流电路中开关器件不全是可控器件，而有不可控器件二极管。（ ）
A:错 B:对 4.对于三相半波可控整流电路，换相重叠角的影响，将使用输出电压平均值升高。（ ）
A:错 B:对 5.在理想情况下，假定输入电压为无畸变的正弦波，则整流电路输入功率因数λ=υcosφ1，其中υ为基波因数，φ1为输入电压与输入电流基波分量之间的相位差。（ ）
A:对 B:错 6.在整流电路中，（ ）是整流元件。
A:三极管
B:二极管
C:电容
D:电阻
7.整流电路的工作原理是利用整流元件的（ ）。
A:稳压特性
B:单向导电性
C:线性
D:稳流特性
8.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（ ）。
A:0-90º
B:0-150º
C:0-180º
D:0-120º
9.单相全控桥整流电路中，大电感阻感负载条件下晶闸管可能承受的最大正向电压为（ ）。
A:
B:
C:
D:
10.三相半波可控整流电路的自然换相点是( )
A:交流相电压的过零点
B:比三相不控整流电路的自然换相点滞后60°
C:本相相电压与相邻相电压正半周的交点处
D:比三相不控整流电路的自然换相点超前30°
11.下列属于整流变压器作用的是（ ）。
A:移相
B:调压
C:整流
D:电气隔离
12.整流电路能够将交流电变换为直流电。（ ）
A:错 B:对 13.三相桥式整流电路中晶闸管的编号顺序是按其导通顺序编号的。（ ）
A:对 B:错 1.晶闸管的阳极和阴极外加正向电压时晶闸管就可以导通。（ ）
A:错 B:对 2.晶闸管的阳极电流小于维持电流时晶闸管就可以关断。（ ）
A:对 B:错 3.晶闸管稳定导通的条件是（ ）。
A:晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流 B:晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流 C:晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流 D:晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流 4.晶闸管的伏安特性是指（ ）
A:门极电压与门极电流的关系 B:门极电压与阳极电流的关系 C:阳极电压与门极电流的关系 D:阳极电压与阳极电流的关系 5.具有自关断能力的电力半导体器件称为（ ）。
A:全控型器件 B:不控型器件 C:触发型器件 D:半控型器件 6.晶闸管是三端器件，三个引出电极分别为阳极、阴极和（ ）。
A:正极 B:门极 C:N极 D:负极 7.选用晶闸管的额定电压值应比实际工作时的最大电压大（ ）倍，使其有一定的电压裕量。
A:1-1.5 B:1-3 C:2-3 D:1-2 8.对于同一晶闸管，维持电流I_H与擎住电流I_L在数值大小上有，I_L（ ）I_H。
A:大于 B:小于 C:无关 D:等于 9.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ ）。
A:二次击穿 B:反向截止 C:临界饱和 D:一次击穿 10.双向晶闸管与普通晶闸管一样，其内部由四层半导体PNPN构成。（ ）
A:错 B:对 1.以下关于电力电子器件说法错误的是（ ）。
A:电力电子器件阻断时阻抗很大，接近于断路
B:电力电子器件一般都工作在开关状态
C:电力电子器件导通时阻抗很小，接近于短路
D:电力电子器件不需要信息电子电路进行控制
2.以下关于电力电子器件损耗说法正确的是（ ）。
A:电力电子器件损耗由通态电流和通态管压降决定
B:电力电子器件功率损耗一般远大于信息电子器件
C:电力电子器件阻断时的损耗大于开通时的损耗
D:电力电子器件有散热设计，工作时不需加散热器
3.以下关于PN结工作原理说法正确的是（ ）。
A:外加反向电压时，外加电场与PN结自建电场方向相反
B:外加正向电压时，多子的漂移运动大于少子的扩散运动
C:外加正向电压时，空间电荷区变宽
D:外加反向电压时，PN结表现为高阻态
4.以下关于电力二极管特性说法正确的有（ ）。
A:电力二极管由零偏置转换为正向偏置时正向压降会出现一个过冲
B:电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时并不能立即关断
C:电力二极管由正向偏置转换为反向偏置时会有反向电压过冲现象
D:当电力二极管承受正向电压大于零时，正向电流开始明显增加
5.电力二极管PN结内的空间电荷区又被称为（ ）。
A:势垒区
B:耗尽层
C:阻挡层
D:电场区
6.当电力二极管用在频率较高场合时，分析其发热原因，开关损耗往往不能忽略。（ ）
A:错 B:对 7.以下关于晶闸管引脚与内部结构说法错误的是（ ）。
A:阴极在PNPN四层结构中的N2区引出
B:阳极在PNPN四层结构中的P1区引出
C:门极在PNPN四层结构中的N1区引出
D:PNPN四层结构共形成了3个PN结
8.以下关于晶闸管门极作用说法错误的是（ ）。
A:晶闸管一旦导通，门极就失去控制作用
B:当阳极电压上升率较高时，晶闸管不通过门极注入电流也可能导通
C:产生注入门极的触发电流的电路称为门极触发电路
D:为了保障触发稳定，注入的门极电流必须导通电流接近
9.以下关于电力二极管动态特性说法正确的是（ ）。
A:关断时，反向恢复电流会在晶闸管两端引起反向尖峰电压
B:开通时，阳极电流的增长不是瞬时的
C:关断时，阳极电流的衰减不是瞬时的
D:关断时，反向阻断恢复结束后还有一个正向阻断恢复过程
10.以下关于电力二极管参数说法正确的是（ ）。
A:通常取晶闸管的断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的标值，作为该器件的额定电压
B:反向不重复峰值电压应高于反向击穿电压
C:规定反向重复峰值电压为反向不重复峰值电压的90%
D:规定断态重复峰值电压为断态不重复峰值电压的90%
11.晶闸管开通时间等于阳极电流从10%上升到稳态值的90%所需的时间。（ ）
A:对 B:错 12.晶闸管的擎住电流是指是指使晶闸管维持导通所必需的最小电流。（ ）
A:错 B:对 13.以下关于电力MOSFET说法错误的是（ ）。
A:它电流容量大，耐压高，多用于功率不超过10kW的电力电子装置
B:它是一种全控型器件
C:它是用栅极电压来控制漏极电流的，所需驱动功率小
D:它开关速度快、工作频率高、热稳定性好
14.以下关于电力MOSFET导电沟道说法错误的是（ ）。
A:当栅极电压为零时，漏源极之间就存在导电沟道的，称为耗尽型
B:对于N沟道器件，栅极电压等于零时才存在导电沟道的，称为增强型
C:可分为P沟道和N沟道
D:在电力MOSFET中，N沟道增强型器件较多
15.以下关于IGBT说法错误的是（ ）。
A:IGBT与电力MOSFET一样，是一种场控器件
B:IGBT内部可看作双极型晶体管与MOSFET组成的达林顿结构
C:IGBT工作在开关状态，是在正向阻断区和饱和区之间来回转换
D:IGBT开关速度高于电力MOSFET
16.以下关于电力MOSFET说法正确的是（ ）。
A:电力MOSFET驱动功率不随开关频率的变化而变化
B:目前电力MOSFET大都采用了垂直导电结构
C:电力MOSFET在导通时，内部无法形成电导调制效应
D:电力MOSFET在导通时，只有一种极性的载流子参与导电
17.以下关于IGBT说法正确的是（ ）。
A:IGBT的输入阻抗高，输入特性与电力MOSFET类似
B:相比于电力MOSFET，IGBT的关断时间更短
C:相比于电力MOSFET，IGBT的耐高压能力更优
D:IGBT可看作是门极可关断器件和电力MOSFET的复合器件
18.静电感应晶体管SIT在栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，常被称为正常导通型器件。（ ）
A:错 B:对 19.宽禁带半导体材料是指禁带宽度在2.0eV及以上的半导体材料。（ ）
A:错 B:对 20.IGBT模块是指将多个IGBT封装在一个模块中，达到缩小装置体积，降低成本，提高可靠性等目的。（ ）
A:错 B:对 1.晶闸管内部有（ ）PN结。
A:一个 B:二个 C:三个 D:四个 2.当晶闸管阳极电流减小到（ ）以下时，晶闸管就由导通变为截止。
A:触发电流I_G B:维持电流I_H C:正向平均电流I_T 3.晶闸管属于（ ）型器件。
A:全控 B:不可控 C:现代型 D:半控 4.晶闸管稳定导通的条件（ ） 。
A:晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流 B:晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流 C:晶间管阳极电流小于晶闸管的擎住电流 D:晶间管阳极电流小于晶闸管的维持电流 5.下列全控器件中，属于电流控制型的器件是（ ）。
A:IGBT B:GTR C:SIT D:P-MOSFET 1.普通晶闸管的通态电流（额定电流）是用电流的（ ）来表示的。
A:平均值
B:最小值
C:最大值
D:有效值
2.已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流（ ）。
A:减小至5A以下
B:减小至维持电流以下
C:减小至门极触发电流以下
D:减小至擎住电流以下
3.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ ）。
A:二次击穿
B:反向截止
C:临界饱和
D:一次击穿
4.为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，恒流驱动电路经常采用（ ）。
A:吸收电路
B:抗饱和电路
C:du/dt抑制电路
D:di/dt抑制电路
5.具有自关断能力的电力半导体器件称为( )。
A:全控型器件
B:触发型器件
C:半控型器件
D:不控型器件
6.若晶闸管电流有效值是157A.，则其额定电流为 （ ）。
A:80A
B:157A
C:100A
D:246.5A
7.电力电子器件一般具有的特征有（ ）。
A:所能处理电功率的大小是其最重要的参数
B:不仅讲究散热设计，工作时一般还需接散热器
C:一般工作在开关状态
D:一般需要信息电子电路来控制
8.电力电子器件按照其控制器通断的能力分为（ ）器件。
A:半控型
B:不控型
C:全控型
9.普通晶闸管内部有两个PN结。 （ ）
A:对 B:错 10.电力MOSFET使用源极电压控制漏极电流。 （ ）
A:对 B:错 1.

降压斩波电路中，已知电源电压=16V，负载电压=12V，斩波周期T=4ms，则开通时=（ ）

A:1ms
B:4ms
C:2ms  
D:3ms  
2.定宽调频是斩波器的一种( )
A:瞬时值控制
B:移相控制方式
C:时间比控制方式
D:模糊控制
3.在PWM斩波方式的开关信号形成电路中，比较器反相输入端加三角波信号，同相端加（ ）
A:方波信号
B:直流信号
C:正弦信号
D:锯齿波信号
4.

设DC/DC变换器的Boost电路中，=10V，D=0.5，则=（ ）

A:50
B:5
C:10
D:20
5.以下带隔离变压器的直流变换器属于双端变换器的是（ ）
A:反激式变换器
B:半桥式变换器
C:正激式变换器
D:推挽式变换器
E:全桥式变换器
6.

PWM工作方式是维持 （ ）， （ ）

A:改变；不变
B:改变；改变
C:不变；改变
D:不变；不变
7.反激变换器在电力电子器件导通时，电源将电能转为磁能存在电感中，当电力电子器件断开时，将磁能传送至负载。（ ）
A:对 B:错 8.升降压变换电路，当0.5＜D＜1时，为升压变换；当0＜D＜0.5时，为降压变换。（ ）
A:对 B:错 9.脉冲频率（PFM）调制的输出谐波干扰严重，为滤波器的设计带来了较大困难。（ ）
A:对 B:错 10.

直流斩波电路，当实际负载电流= 时，电感电流处于断流。( )

A:对 B:错 1.同步就是要求锯齿波的频率与主回路电源的频率相同。（ ）
A:错 B:对 2.

锯齿波同步电压是由起开关作用的控制的，截止期间产生锯齿波，其截止持续的时间就是锯齿波的宽度，开关的频率就是锯齿波的频率。（ ）

A:对 B:错 3.TCA785内部的逻辑运算电路都是由基准电源供电，通过引脚12就可以测量基准电压是否正常。（ ）
A:对 B:错 4.单相桥式全控整流电阻性负载电路中，晶闸管的电流有效值为I。（ ）
A:对 B:错 5.单相桥式全控整流电感性负载电路中，当控制角大于90°时，负载两端电压波形的正面积大于负面积，输出平均值大于0。（ ）
A:错 B:对 6.单相桥式半控整流电路是将单相全控整流电路中一对晶闸管换成两只整流二极管。（ ）
A:错 B:对 7.钳位是一种（ ）技术。
A:短路保护
B:过载保护
C:过流保护
D:过压保护
8.双窄脉冲触发是触发电路送出两个相隔（ ）的窄脉冲来触发晶闸管。
A:30°
B:180°
C:60°
D:90°
9.TCA785引脚4和引脚2的两端输出宽度变化的脉冲信号，相位互差（ ）。
A:30°
B:60°
C:180°
D:90°
10.在单相桥式全控整流电路带大电感负载，交流侧电压有效值为220V，负载电阻为4Ω，计算当控制角为60°时，直流输出电压的平均值为（ ）。
A:171V
B:99V
C:85.6V
D:49.5V
1.晶闸管电流的波形系数定义为（ ）。
A:Kf =IdT-IT
B:Kf =IdT·IT
C:
D:
2.晶闸管的伏安特性是指（ ）。
A:阳极电压与门极电流的关系
B:门极电压与门极电流的关系
C:阳极电压与阳极电流的关系
D:门极电压与阳极电流的关系
3.为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（ ）。
A:du/dt抑制电路
B:吸收电路
C:抗饱和电路
D:di/dt抑制电路
4.过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。（ ）
A:错 B:对 5.选用晶闸管的额定电流时，根据实际最大电流计算后至少还要乘以1.5-2。（ ）
A:对 B:错 6.取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的（ ）。
A:额定电压
B:阈值电压
C:转折电压
D:反向击穿电压
7.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。（ ）
A:错 B:对 8.晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的封装结构有（ ）。
A:平板形
B:菱形
C:三角形
D:螺栓形
9.在螺栓式晶闸管上有螺栓的一端是阳极。（ ）
A:错 B:对 10.晶闸管的断态不重复峰值电压UDSM与转折电压UBO在数值大小上应为UDSM大于UBO。（ ）
A:错 B:对 1.下列器件中，属于半控型器件的是（ ）。
A:电力二极管
B:晶闸管
C:IGBT
D:MOSFET
2.电力二极管导通的条件是（ ）。
A:任何电压下都导通
B:承受零偏置电压
C:承受反向电压
D:承受的正向电压且大于门槛电压
3.门极可关断晶闸管属于全控型器件。（ ）
A:错 B:对 4.在外电压或者外电路的作用下使晶闸管的电流小于维持电流以下时，晶闸管就会关断。（ ）
A:错 B:对 5.晶闸管的三个电极分别是（ ）。
A:阳极
B:阴极
C:栅极
D:门极
1.

电力电子电路中，电力晶体管GTR工作在开关状态，即在放大区和饱和区两个状态之间切换。

A:对 B:错 2.

晶闸管导通后，切断门极触发电流就可以使其关闭。

A:对 B:错 3.

电力晶体管GTR属于（　  　）。

A:电压驱动全控型 B:电流驱动半控型 C:电压驱动半控型 D:电流驱动全控型 4.

晶闸管实际承担的某正弦波形电流有效值为200A，不考虑安全裕量的情况下，其通态平均电流为（       ）。

A:

314A

B:

127A

C:

200A

D:

400A

5.

在实际选用晶闸管时，其额定电流要留有一定余量，一般取额定电流为晶闸管正常工作时通过电流的（     ）。

A:

2~3倍

B:

1.5~3倍

C:

1.5~2倍

D:

1~2倍

6.

不是电压驱动型器件共同特点（  ）。

A:

驱动电路简单，工作频率高

B:

具有电导调制效应，因为通态压降低

C:

输入阻抗高，所需驱动功率小

D:

其余都不是

7.

工作频率最高的全控型器件是IGBT。

A:对 B:错