第一章测试1.
如图所示电路是哪种半导体的电路模型。()
A:N型半导体 B:P型半导体 C:杂质半导体 D:本征半导体
答案:B
2.
当温度降低时,二极管的反向饱和电流将( )。
A:减小 B:增大 C:不变
D:无法确定
答案:A
3.
当场效应管的漏极直流电流从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将( )。
A:增大 B:减小 C:无法确定 D:不变
答案:A
4.
一场效应管的符号如下所示,它是( )。
A:N沟道耗尽型 B:N沟道增强型 C:P沟道增强型 D:P沟道耗尽型
答案:A
5.
时,能够工作在恒流区的场效应管有( )。
A:N沟道耗尽型MOS管 B:结型场效应管 C:P沟道增强型MOS管 D:N沟道增强型MOS管
答案:AB
6.
在P型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为N型半导体。
A:错 B:对
答案:B
7.
本征半导体中自由电子和空穴的浓度主要取决于温度。( )
A:对 B:错
答案:A
8.
PN结在无光照、无外加电压时,结电流为零。()
A:错 B:对
答案:B
9.
因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。()
A:错 B:对
答案:A
10.
三极管放大时,内部两个PN结的偏置状态应为()。
A:发射结正偏,集电结也正偏 B:发射结正偏,集电结反偏 C:发射结反偏,集电结也反偏 D:发射结反偏,集电结正偏
答案:B
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