第二章单元测试
导体处于静电平衡中，其满足的条件描述正确的是：
关于静电平衡中的导体，下列描述正确的是：
如下图（图中表示的电荷等不一定正确），描述正确的是：
关于静电场中的导体，描述正确的是：
关于介质中的高斯定理,下列描述正确的是：
在孤立带电的导体板之间插入介质，导致的变化描述正确的是：
根据下图，选择从左到右各个力线表示的物理量：
如图，介质进入电容器中，其经典能变化的描述正确的是：
如图，电介质插入电容中，静电能的变化为：
关于电容器的并联和串联，下列描述正确的是：
A:导体表面处电场强度和表面处处平行 B:导体内部的场强和电荷的分布有关 C:导体内靠近表面处场强方向和表面处处垂直 D:导体内部的场强处处为0
答案:导体内部的场强处处为0
A:导体内部的电荷均匀分布 B:导体表面是等势面 C:导体表面电荷处处为0 D:导体表面的电势和曲率半径成反比
答案:导体表面是等势面
A:导体外表面没有电荷 B:导体腔内的电势和导体相等 C:导体不再是等势体，外表面电势为0，内部电势不为零 D:导体外表面电荷和导体腔内的电荷大小相等，类型相同
答案:导体外表面没有电荷
A:在电场作用下，自由电子将重新排布
B:处于静电屏蔽中，外电场对导体的影响仍然存在 C:在电场作用下，电子是固定不动的
D:在电场作用下，将产生感应电荷
答案:在电场作用下，自由电子将重新排布
###处于静电屏蔽中，外电场对导体的影响仍然存在###在电场作用下，将产生感应电荷
A:引入电位移矢量后只需要计算自由电荷即可
B:真空中的高斯定理不再适用 C:引入电位移矢量没有任何意义 D:真空中的高斯定理依然可以使用
答案:引入电位移矢量后只需要计算自由电荷即可
###真空中的高斯定理依然可以使用
A:在导体板之间以及插入的导体内部，电位移矢量的大小改变了
B:介质内部和表面都不存在电荷
C:导体的电容减小了 D:导体板上的电量没有变化
答案:导体板上的电量没有变化
A:D、P、E B:P、D、E C:E、D、P
D:E、P、D
答案:E、D、P
A:外界作用，静电能增大 B:静电能减小 C:无法判断 D:Q不变静电能守恒
答案:静电能减小
A:无法判断 B:U不变，静电能不变
C:静电能增加 D:静电能减小
答案:静电能增加
A:和电阻的并联和串联的计算方法相反 B:是单独的规律，并联的电容不变，串联的电容增加 C:和电阻的并联和串联的计算方法相同 D:无法计算
答案:和电阻的并联和串联的计算方法相反
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