第十三章测试1.封装工艺中，银浆固化的温度为 ( )。
A:175 度 B:190度 C:180度 D:157度
答案:A
2.下面哪道工序主要是针对晶圆切割之后在显微镜下进行晶圆r的外观检查，是否有出现废品？ ( )
A:二光检查 B:四光检查 C:一光检查 D:三光检查 3.影响封装芯片特性的温度有（ ）。
A:热敏感度 B:集成度 C:热的产生 D:物理的脆弱度 4.芯片粘接的工艺过程包括（ ）。
A:烘烤 B:点银浆 C:芯片粘接 D:银浆固化 5.三光检查主要是检查芯片粘贴和引线焊接之后有无各种废品。（ ）
A:对 B:错 6.去溢料的方法主要有弱酸浸泡和高压水冲洗。（ ）
A:错 B:对
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