第二章测试1.如下选项那个不是离子注入工艺过程中，减少沟道效应的措施（ ）。
A:表面预非晶化 B:增加注入能量 C:表面用
掩膜
D:增加注入剂量
答案:B
2.下列哪个杂质允许在硅中存在的？( )
A:Cu B:Na C:O D:C
答案:A
3.硅的四种掺杂方式有以下几种？（ ）
A:中子嬗变掺杂 B:扩散掺杂法 C:原位掺杂 D:离子注入
答案:ABCD
4.金刚石结构的立方晶胞空间利用率为34%。（ ）
A:对 B:错
答案:B
5.硅的解理面为（110）面。 （ ）
A:对 B:错
答案:B
温馨提示支付 ￥3.00 元后可查看付费内容,请先翻页预览!
