第五章测试1.硅暴露在空气中，则在室温下即可产生二氧化硅层，厚度约为 （ ）
A:30 nm B:20 nm C:10 nm D:25 nm
答案:D
2.湿氧氧化采用的氧化水温是（ ）。
A:75度 B:90度 C:95度 D:80度 3.消除鸟嘴效应的方法有（ ）。
A:在氧化前，将窗口处的硅腐蚀掉
深度，再进行局部氧化
B:高压氧化工艺
C:退火
D:选择合适的掩蔽膜
4.鸟嘴效应造成的不良影响有（ ）。A:电流减少 B:电阻增大 C:电容增加 D:有效栅宽变窄 5.重掺杂的硅要比轻掺杂的氧化速度快。 （ ）
A:错 B:对 6.晶向（111）硅单晶氧化速率将比（100）稍慢。（ ）
A:对 B:错
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