第十章 半导体材料:本章介绍半导体材料的特性、导电机理及分类,主要介绍了硅锗半导体和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体10.1半导体材料概述:半导体的概述、分类及发展历程
10.2半导体材料的基本特性:半导体材料的电子结构、电学性质、光学性质、界面特性、光电特性等
10.3锗、硅半导体:硅锗元素的基本特性、硅锗半导体材料的特点及应用
10.4Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体:Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的主要类别、特点及应用
10.1半导体材料概述:半导体的概述、分类及发展历程
10.2半导体材料的基本特性:半导体材料的电子结构、电学性质、光学性质、界面特性、光电特性等
10.3锗、硅半导体:硅锗元素的基本特性、硅锗半导体材料的特点及应用
10.4Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体:Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料的主要类别、特点及应用
[单选题]硅晶体结构是金刚石结构,每个晶胞中含有原子个数为( 选项:[8, 4, 1, 2]
[单选题]关于本征半导体,下列说法中错误的是( 选项:[本征半导体的费米能级与温度无关,只决定于材料本身, 本征半导体的费米能级基本位于禁带中线处, 本征半导体不含有任何杂质和缺陷]
[多选题]半导体材料最常见的两种晶体结构是( 选项:[金刚石型, 氯化钠型, 闪锌矿型]
[单选题]与绝缘体相比,半导体的价电子激发到导带所需的能量( 选项:[与绝缘体的相同, 比绝缘体大, 比绝缘体小]
[单选题]将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起( )杂质作用选项:[施主, 受主, 复合中心, 陷阱]
[单选题]硅晶体结构是金刚石结构,每个晶胞中含有原子个数为( 选项:[2, 4, 8, 1]
[单选题]关于本征半导体,下列说法中错误的是( 选项:[本征半导体的费米能级基本位于禁带中线处, 本征半导体不含有任何杂质和缺陷, 本征半导体的费米能级与温度无关,只决定于材料本身]
[多选题]半导体材料最常见的两种晶体结构是( 选项:[氯化钠型, 金刚石型, 闪锌矿型]
[单选题]与绝缘体相比,半导体的价电子激发到导带所需的能量( 选项:[比绝缘体大, 与绝缘体的相同, 比绝缘体小]
[单选题]将Si掺杂入GaAs中,若Si取代Ga则起( )杂质作用选项:[复合中心, 陷阱, 施主, 受主]

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