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信息功能材料与元器件
- 超级电容器的工作温度
- 根据原材料的不同，磁性材料可分为（）和铁氧体材料。
- 下面哪个不是铁电体的基本特性（ ）
- 理想双电层电容的CV曲线类似于
- 不属于赝电容材料的电极材料为
- 下列说法中，不属于离子束沉积优点的是（ ）
- 随着半导体内部载流子浓度的升高，其Seebeck系数（ ）
- 金属钴离子和电解液中（）发生氧化还原反应
- 以下选项中，哪个不是厚膜导体材料的功能 （ ）
- 在受到外加磁场作用后，会感生出与外场方向相同的磁化强度，但仅呈现微弱磁性的物质是（）
- 两种半导体形成异质结后，空间电荷区的能带在交界面处不连续是由于材料的（ ）不同而造成的。
- 亥姆赫兹（Helmholtz）模型电容计算公式产生的缺陷
- 磁性材料在被磁化时，随磁化状态的改变而发生弹性形变的现象，称为（）。
- ( )具有负的电阻温度系数
- 浆料的组分中含有两种有机组分，其中提供丝网印刷时的合适流动性能的有机粘结剂具有挥发性。
- 一般来讲，铁氧体材料的饱和磁化强度远低于金属软磁材料，其应用频率也远低于金属软磁材料。
- 磁性材料可以按照物质的磁性来进行分类，通常来讲，抗磁性、顺磁性是弱磁性，铁磁性、反铁磁性和亚铁磁性属于强磁性。
- 金刚石具有很高的硬度，具有较宽的带隙，属于半导体材料。
- 非接触工艺，其丝网和基板之间存在一小段距离。
- 由化学缺陷和物理缺陷引起的残余电阻率与温度无关，反映了金属的纯度和完整性
- 只有pn结能产生光生伏特效应，金属-半导体形成的肖特基结等其他形式的异质结构不能产生光生伏特效应。
- 绝大多数铁氧体的导电特性属于半导体类型，其电阻率随温度的升高按指数规律升高。
- 击穿是标志电介质在电场作用下保持绝缘性能的极限能力，是决定电力设备，电子元器件最终使用寿命的重要因素
- 电容器介质的相对介电常数越大，电容器存储电荷的能力越弱
- 晶体结构中无对称中心是产生压电效应的必要条件
- 压电体一定是热释电体
- 对常见的半导体起作用的往往是价带底附近的电子和导带顶附近的空穴。
- 双电层的形成是热力学自发过程
- 光电效应实验中，光越强，光电子的初动能越大，遏止电压Uc也越大。
- 与白炽灯和荧光灯比较，LED的优点有（）
- 以下哪些属于热化学气相淀积 ( )
- 石墨烯性能特变包括
- 一般选作磁芯材料的具体标准有（）。
- 可用于超级电容器电极材料包括
- 铁氧体材料按其晶体结构可分为（）铁氧体。
- 电阻材料主要包括（ ）
- 以下属于化合物半导体材料的有（ ）
- 影响电容性能的因素包括
- 下面说法中正确的是（ ）
- 属于双电层原理的电极材料包括
- 厚膜电阻材料的浆料由（ ）组成
- 导体材料的电阻与以下哪些因素有关（ ）
- 热电材料能够实现热能和电能的直接相互转换，热电效应包括（）
- 关于介质损耗下列说法正确的是（ ）
- 实际晶体中，电子在传输过程存在的散射机制有（ ）
- 石墨烯的结构特点包括
- 按工作物质的不同，激光器可分为（）
- 赝电容是一种发生在（）或（）的可逆电化学反应
- 导电高分子的掺杂类型
- 往价电子数为4的Si中掺杂价电子数为5的P形成（ ）半导体。
A:-20-60 B:-20-40 C:-10-40 D:20-60
答案:-20-60
A:陶瓷材料 B:稀土材料 C:高分子材料 D:金属材料
AI参考:正确答案是【稀土材料】。根据原材料的不同，磁性材料可分为稀土材料和铁氧体材料。其中，稀土材料是以金属间化合物为基的磁性材料，而铁氧体材料是以铁为元素的无机化合物。因此，答案为B：稀土材料。'
A:具有电滞回线 B:具有结构相变温度 C:具有临界特性 D:具有电畴
AI参考:B项不是铁电体的基本特性。铁电体是一种具有铁电性的物质，它在外加电场的作用下会发生极化，当极化强度达到一定值时，铁电体会发生极化反转，形成一个滞后的电滞回线，表现出独特的电学和光学特性。铁电体的基本特性包括具有电滞回线、具有临界特性和具有电畴等，而结构相变温度不是铁电体的基本特性。因此，本题答案为B。'
A:菱形 B:圆形 C:叶性 D:矩形
AI参考:正确选项是B:圆形。理想双电层电容的CV曲线通常呈现圆形，这是因为理想双电层电容主要取决于电容量和电导率，而与电流大小无关。因此，理想双电层电容的CV曲线在图形上通常呈现圆形。其他选项中，菱形、叶性和矩形都不符合理想双电层电容的特点。'
A:金属氧化物 B:多孔碳 C:导电高分子 D:金属氮化物
答案:多孔碳
A:淀积发生在无场区域，基片不再是电路的一部分，不会由于快速电子轰击使基片引起过热，所以基片的温升低。 B:可以对制膜条件进行独立的严格的控制，重复性较好。 C:可电离出大量的Ar+，沉积速率高。 D:适用于制备多成分膜的多层膜。
答案:可电离出大量的Ar+,沉积速率高.
A:不变 B:减小 C:先增大后减小 D:增大
答案:增大AI参考:随着半导体内部载流子浓度的升高，其Seebeck系数（ D:增大）。半导体中的载流子浓度升高，会导致自由电子的数量增加，从而增加了导电过程中的热激发能量差，进而提高了Seebeck系数。因此，选项D是正确的。选项A、B、C都与载流子浓度的变化趋势相反，都是错误的。'
A:钾离子 B:水分子 C:氢离子 D:氢氧根离子
答案:氢氧根离子
A:钝化和保护厚膜元件的表面 B:在电路节点之间提供导电布线 C:提供多层电路导体层之间的电连接 D:提供端接区以连接厚膜电阻
AI参考:正确答案是D：提供端接区以连接厚膜电阻。厚膜导体材料的功能包括钝化和保护厚膜元件的表面、在电路节点之间提供导电布线、提供多层电路导体层之间的电连接。而选项D提供端接区以连接厚膜电阻不是厚膜导体材料的功能，通常使用金线或银线等导电材料来连接厚膜电阻。因此，选项D是正确答案。'
A:抗磁性材料 B:亚铁磁性材料 C:顺磁性材料 D:铁磁性材料
A:禁带宽度 B:费米能级 C:电子亲和势 D:介电常数
AI参考:正确选项是【禁带宽度】。禁带宽度是指半导体材料的能量范围，在交界面处由于不同半导体材料的能量范围不同，导致空间电荷区的能带不连续。而费米能级、电子亲和势和介电常数虽然也会影响半导体材料的性质，但它们与形成异质结后空间电荷区的能带在交界面处不连续没有直接关系。'
A:比表面积变化 B:电容值恒定 C:电极距离恒定 D:电容过大
AI参考:正确选项是【B:电容值恒定】。亥姆赫兹模型电容计算公式是一种基于平行板电容器电容的计算公式，它假设电极之间的距离和电介质保持恒定，因此电容值恒定。该公式忽略了电极形状、尺寸、材料等对电容的影响，因此存在一定的缺陷。比表面积变化、电极距离恒定、电容过大等问题并不是亥姆赫兹模型电容计算公式本身所导致的缺陷。因此，B选项“电容值恒定”是正确答案。'
A:磁光效应 B:磁致伸缩效应 C:磁弹性效应 D:磁阻效应
A:半导体 B:绝缘体 C:金属导体
AI参考:正确答案是A:半导体。半导体具有负的电阻温度系数，即在温度升高时电阻值会减小，而绝缘体和金属导体则具有正的温度系数，即温度升高时电阻值会增大。因此，选项A是正确答案。'
A:错 B:对
A:对 B:错
AI参考:答案：B:错。一般来讲，铁氧体材料的饱和磁化强度和其应用频率都高于金属软磁材料，而不是远低于和远低于。因此，该题表述错误。'
A:对 B:错
A:错 B:对
AI参考:正确答案是B。金刚石具有很高的硬度，具有较宽的带隙，属于半导体材料这个说法是正确的。金刚石是一种由碳原子以共价键连接形成的空间网状结构的物质，具有高硬度、高熔点、高热稳定性和化学惰性等性质。金刚石的带隙较宽，能吸收光子，具有半导体特性，因此在光电领域有广泛应用。因此，答案为B，即这个说法是正确的。'
A:对 B:错
AI参考:答案：B。题干表述错误，非接触工艺丝网和基板之间不存在小段距离。丝网和基板之间是紧密接触的。因此，答案为B。'
A:错 B:对
AI参考:B:对。由化学缺陷和物理缺陷引起的残余电阻率与温度无关，反映了金属的纯度和完整性。因此，这是一个正确的陈述。所以答案是B。判断题中的说法“A:错”是错误的，不符合实际情况。'
A:对 B:错
AI参考:正确答案是B：错。题干中提到只有pn结能产生光生伏特效应，而金属-半导体形成的肖特基结等其他形式的异质结构也能产生光生伏特效应，因此选项B是错误的。'
A:错 B:对
AI参考:判断题答案为【B:对】。铁氧体的导电特性属于绝缘体或半导体类型，其电阻率随温度的升高而降低，而不是按指数规律升高。因此，该说法是错误的。'
A:错 B:对
A:对 B:错
AI参考:正确答案是B：错。电容器存储电荷的能力是由电容器的电容决定的，而电容的大小与电容器极板间的正对面积、电介质和电势差有关，与相对介电常数无关。因此，电容器介质的相对介电常数越大，电容器存储电荷的能力不一定越弱。'
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:错 B:对
A:体积小 B:寿命长 C:发热量少 D:耗电量低
A:光化学气相淀积 B:低压化学气相淀积 C:常压化学气相淀积 D:金属有机物化学气相淀积
A:高头透光率 B:高电子迁移率 C:高机械性能 D:高比表面积
A:矫顽力高，剩余磁化强度大 B:容易磁化，且具有高饱和磁通密度、高磁导率 C:对磁场变化反应灵敏，能量损耗低 D:小型且量轻，不易磨损
AI参考:一般选作磁芯材料的具体标准有矫顽力高，剩余磁化强度大和对磁场变化反应灵敏，能量损耗低。选项B虽然也涉及磁芯材料的性能，但不够全面；选项C和D虽然涉及磁芯材料的某些特性，但不是主要标准。因此，正确答案是A和C。'
A:碳气凝胶 B:石墨烯 C:金属氮化物 D:金属氧化物
A:尖晶石 B:金红石 C:六角晶系 D:石榴石
A:厚膜电阻材料 B:薄膜导电材料 C:丝绕电阻材料 D:薄膜电阻材料
AI参考:正确选项为：A:厚膜电阻材料 C:丝绕电阻材料。电阻材料主要包括厚膜电阻材料和丝绕电阻材料两种。其中，厚膜电阻材料是由电阻率较高的纯金属材料制成，通过印刷、烧结等工艺制作成不同阻值的电阻器。丝绕电阻材料是由电阻率较高的纯金属材料制成的细丝绕成，通过高温烧结等工艺制作成不同阻值的电阻器。这两种电阻材料都是常用的电阻材料，其中丝绕电阻材料在精度要求较高的场合使用较多。因此，选项A和C都是正确的。选项B和D虽然也是电阻材料，但并不是常用的电阻材料，因此不是正确选项。'
A:碲化铅 B:氧化铝 C:砷化镓 D:磷化铟
AI参考:正确选项为：C:砷化镓。化合物半导体材料包括镓、砷、磷等元素，其中砷化镓是常见的化合物半导体材料之一，具有高电子迁移率、高频、高温等特性，被广泛应用于微波器件、光电器件等领域的制造。其他选项中，碲化铅、氧化铝、磷化铟虽然也属于化合物半导体材料，但它们的性能和应用范围不如砷化镓广泛。因此，正确选项为C：砷化镓。'
A:孔径分布 B:表面与电解液相互作用 C:比表面积 D:空隙结构
AI参考:影响电容性能的因素包括：B、表面与电解液相互作用；C、比表面积。以上是完整的答案，但是除了这两个因素外，电容器还有孔径分布和空隙结构对性能也有影响，因此答案应该是ABCD都是正确的。但是题目要求的是选择题，所以选择B和C是正确的选项。'
A:有外电场时，极性介质偶极子沿电场方向取向几率增加，偶极矩的矢量和不再为零，电介质对外表现出感应宏观偶极矩 B:介电常数是描述介质极化能力的一个重要物理参数 C:电介质是绝缘体，无自由电荷，只存在束缚电荷 D:偶极子转向极化属于瞬时极化
A:碳纳米管 B:碳纤维 C:活性炭 D:多孔碳
A:有机载体 B:导电相 C:粘结相 D:改性剂
A:材料的厚度 B:材料的硬度 C:材料的性质 D:材料的几何尺寸
AI参考:正确选项为：ABCD。导体材料的电阻与材料的厚度、材料的硬度、材料的性质以及材料的几何尺寸等因素有关。这些因素会影响材料内部电子的自由程度和电子迁移的速度，从而影响材料的电阻。因此，以上四个因素都对导体材料的电阻有影响。'
A:Joule效应 B:Peltier效应 C:Thomson效应 D:Seebeck效应
A:电导损耗实质是相当于交流、直流电流流过电阻做功 B:只有缓慢极化过程才会引起能量损耗 C:极化损耗与温度、电场频率无关 D:介质电导的滞后效应和介质极化的滞后效应是产生介质损耗的原因
A:电子散射 B:电子与晶体缺陷散射 C:声子散射 D:电子与杂质原子散射
AI参考:实际晶体中，电子在传输过程存在的散射机制有电子散射、电子与杂质原子散射以及电子与晶体缺陷散射。因此，答案为A、D、B。C选项中的声子散射在固体中不太适用，因为固体中的声子与电子相互作用较弱，对电子的散射作用相对较弱。'
A:SP2杂化 B:碳六元环 C:二维延展 D:多孔碳
AI参考:正确选项为：A:SP2杂化 C:二维延展。石墨烯是一种由碳原子组成的二维材料，具有SP2杂化的特点，即碳原子之间以SP2键合形成单层碳结构。石墨烯具有二维延展性，可以轻易地在极薄的层面上展开。因此，选项A和C是石墨烯的结构特点的正确描述。选项B和D虽然也涉及到石墨烯的一些性质，但不是石墨烯结构特点的正确描述。'
A:液体激光器 B:半导体激光器 C:气体激光器 D:固体激光器
AI参考:正确选项为：B、C、D按工作物质的不同，激光器可分为气体激光器、液体激光器、固体激光器等。B、C、D选项都是按工作物质的不同对激光器的分类。'
A:对电极 B:电极材料近表面 C:电极材料表面 D:电解液
AI参考:正确选项为【B:电极材料近表面 C:电极材料表面】：赝电容是一种发生在电极材料近表面或电极材料表面上的可逆电化学反应。赝电容在充放电过程中，会与电解液发生可逆的氧化还原反应，从而储存和释放电能。这种反应通常发生在电极材料的表面或近表面区域，因此选项B和C是正确的。'
A:金属离子掺杂 B:氧化还原掺杂 C:质子酸掺杂 D:反复掺杂
A:非本征 B:n型 C:本征 D:p型
AI参考:正确选项为【D:p型】解释：Si中掺杂价电子数为5的P后，多出的一个价电子可以进入Si的导带，增加了导带的电子载流子浓度，起到了增强的作用，所以形成了p型半导体。而非本征半导体是半导体中的杂质不均匀所造成的非化学配比的变化所引起的，不属于本题考察范围。所以D为正确选项。'
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