第四章单元测试
  1. P型半导体是指在本征半导体中掺入微量的:


  2. A:锂元素 B:硼元素 C:硅元素 D:磷元素
    答案:硼元素
  3. 二极管两端加正向电压时:


  4. A:超过死区电压才导通 B:超过0.3 V才导通 C:一定导通 D:超过0.7 V导通
  5. PN结加正向电压时,空间电荷区将:


  6. A:变窄 B:基本不变 C:变厚 D:变宽
  7. 为保证稳压管具有稳定的稳压值,应该:


  8. A:动态内阻较大,电压温度系数的绝对值较小 B:动态内阻较大,电压温度系数的绝对值较大 C:动态内阻较小,电压温度系数的绝对值较大 D:动态内阻较小,电压温度系数的绝对值较小
  9. NPN型三极管,三个电极的单位分别有VC=3.3 V,VE=3 V,VB=3.7 V,则该管工作在:


  10. A:饱和区 B:击穿区 C:放大区 D:截止区
  11. 晶体管工作在截止区时,各电极电压应使PN结为:


  12. A:集电结正偏,发射结反偏 B:集电结,发射结均正偏 C:集电结,发射结均反偏 D:集电结反偏,发射结正偏
  13. 本征半导体中的空穴是:


  14. A:半导体晶格中的缺陷 B:带正电的离子 C:带负电的离子 D:电子脱离共价键后留下的空位
  15. 如果半导体二极管正反向阻值都无穷大,说明二极管:


  16. A:内部短路 B:正常 C:内部断路 D:性能差
  17. PN结的P区接电源负极,N区接电源正极,称为:


  18. A:双向偏置 B:零偏置 C:正向偏置 D:反向偏置
  19. 三极管基极电流的变化量为0.02 mA,三极管的电流放大倍数为90,则该三极管发射极电流的变化量为:


  20. A:1.82 mA B:1.80 mA C:1.78 mA D:2.00 mA

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