半导体技术导论章节测试课后答案2024春

第二章测试

1.p型硅掺杂V族元素，n型硅掺杂III族元素。
A:错 B:对
答案:A
2.半导体中电流由电子电流和空穴电流构成。
A:错 B:对
答案:B
3.以能带隙种类区分，硅属于直接能带隙半导体。
A:错 B:对
答案:A
4.以下哪种结构不是固体常见的微观结构类型？
A:结晶体 B:多晶体 C:单晶体 D:非晶体 
答案:A
5.从能级角度上看，导体就是禁带宽度很小的半导体。
A:对 B:错
答案:B
6.半导体的电导率一般要大于绝缘体的电导率。
A:对 B:错
答案:A
7.在半导体中的空穴流动就是电子流动。
A:错 B:对
答案:A
8.通常来说，晶格常数较大的半导体禁带宽度也较大。
A:对 B:错
答案:B
9.温度为300K的半导体费米能级被电子占据的几率为（）？
A:1 B:1/2 C:0 D:1/4
答案:B
10.通常对于同种半导体材料，掺杂浓度越高，载子迁移率越低。
A:错 B:对
答案:B