第六章测试1.利用氢氟酸蚀刻SiO2薄膜具有各向异性。
A:对 B:错
答案:B
2.利用正光刻胶曝光、显影、蚀刻的过程中，掩膜版上透光图案对应的基底部位将被蚀刻掉。
A:错 B:对 3.通过扩散方式掺杂对杂质浓度和掺杂深度的控制精度比通过离子注入的方式掺杂要高。
A:错 B:对 4.以下哪种材料无法通过分子束外延生长法制备？
A:GaAs B:Si C:IGZO D:GaN 5.以下哪种不属于化学气相沉积法
A:MOCVD B:DPCVD C:LPCVD D:PECVD 6.化学气相沉积法的反应原料是气体，反应物是固体，副产物也可以是固体
A:错 B:对 7.化学气相沉积法和物理气相沉积法最主要的区别在于前者需要在真空环境下进行。
A:错 B:对 8.12英寸硅晶片是指硅晶片的（）是12英寸。
A:厚度 B:器件大小 C:直径 D:半径 9.利用液封直拉法得到的晶锭可以直接切割成晶片。
A:错 B:对 10.以下晶体硅生长过程中的产物中哪种是单晶体？
A:冶金级硅晶体 B:晶锭 C:电子级硅晶体 D:石英砂
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