第三章单元测试
- 双极晶体管工作于放大区时，其外部条件是（ ）
- 某NPN型双极晶体管处于共射极连接方式，VB = 2.7 V，VC = 10 V，VE =2.0 V，此晶体管处于（ ）状态。
- 为提高晶体管的电流放大系数，应当（ ）
- 防止基区穿通的措施有（ ）
- 晶体管工作在高频小信号条件下，要考虑电容的作用，它们包括（ ）
- 晶体管的共基极电流放大系数随频率的增加而下降。（ ）
- 在缓变基区晶体管的基区中会产生一个内建电场，它对少子在基区中的运动起到阻碍作用，使少子的基区渡越时间增加。（ ）
- 当集电结反偏电压增加时，集电结耗尽区宽度会增加，使得有效基区宽度减小。（ ）
A:发射结反偏，集电结反偏 B:发射结正偏，集电结正偏 C:发射结正偏，集电结反偏 D:发射结反偏，集电结正偏
答案:发射结正偏，集电结反偏
A:放大 B:不确定 C:截止 D:饱和
A:减小基区掺杂浓度 B:增大基区宽度 C:减小基区宽度 D:增大基区掺杂浓度
A:增大基区掺杂浓度 B:减小基区掺杂浓度 C:增大基区宽度 D:减小基区宽度
A:集电结势垒电容 B:发射结扩散电容 C:集电结扩散电容 D:发射结势垒电容
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
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