第五章单元测试
- MOSFET是用（ ）控制漏极电流的器件 。
- 跨导gm反映了MOS场效应管的（ ）对漏极电流控制能力。
- 为减小衬偏电压VBS对MOSFET阀值电压的影响，应该尽量（ ）。
- 理想MOSFET管工作在饱和区时，随着漏源电压的增加，漏极电流将（ ）。
- MOS结构中，半导体表面的电荷分布包括以下几种状态（ ）
- MOS管的几何跨导参数与哪些参数有关（ ）。
- 影响MOS管直流特性的因素包括（ ）。
- 发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高注入效率，反而会使其下降，造成发射区重掺杂效应的原因是（ ）
A:漏源电流 B:栅源电压 C:栅源电流 D:漏源电压
答案:栅源电压
A:源漏电压 B:栅漏电压 C:漏极电压 D:栅源电压
A:增加氧化层厚度 B:增加衬底掺杂浓度 C:选用介电系数更大的氧化层材料 D:减小氧化层厚度
A:减小 B:不确定 C:增大 D:不变
A:多子耗尽 B:少子反型 C:多子堆积 D:本征状态
A:沟道宽度 B:栅电容 C:沟道长度 D:迁移率
A:耗尽层电荷的变化 B:迁移率调制效应 C:温度的影响 D:沟长调制效应
A:禁带宽度变宽 B:俄歇复合减弱 C:俄歇复合增强 D:禁带宽度变窄
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