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电力电子技术（广东工业大学）
对于升降压直流斩波器，当其输出电压小于其电源电压时，有（ ）
单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的作用是（）
降压斩波电路中，已知电源电压Ud=16V，负载电压Uo=12V，斩波周期T=4ms，则开通时Ton=（）
触发电路中的触发信号应具有（ ）
关于单相桥式PWM逆变电路，下面说法正确的是（ ）
三相桥式全控整流电路，电阻性负载时的移相范围为（）
为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用（）
单相全控桥式变流电路工作于有源逆变状态，在逆变角β期间，处于换相进行关断的晶闸管承受的电压是（）
对于单相交流调压电路，下面说法错误的是（）
对于单相交交变频电路如下图，在t2~t3时间段内，P组晶闸管变流装置与N组晶闸管变流装置的工作状态是（）
电流型三相桥式逆变电路，120°导通型，则在任一时刻开关管导通的个数是不同相的上、下桥臂（）
在晶闸管应用电路中，为了防止误触发，应使干扰信号的幅值限制在（）
晶闸管稳定导通的条件（ ）
变流装置的功率因数总是（）
单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角α的最大移相范围是（ ）
单相桥式PWM逆变电路如下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是（）
三相全控桥式整流电路带电阻负载，当触发角α=0º时，输出的负载电压平均值为（ ）
单相全控桥式有源逆变电路，控制角为α，则输出电压的平均值为（）
三相半波带电阻性负载时，α为 （） 度时，可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态。（）
在大电感负载三相全控桥中，整流电路工作状态的最大移相范围是（）
逆变失败，是因主电路元件出现损坏，触发脉冲丢失，电源缺相，或是逆变角太小造成的。
电力MOSFET常用于功率不超过100 kW的电力电子装置。
电压型逆变电路其交流侧电压波形为矩形波,电流波形接近三角波或正弦波。
给晶闸管加上正向阳极电压它就会导通。
设置补偿电容可以提高变流装置的功率因数。
电流可逆斩波电路可实现直流电动机的四象限运行。
三相半波可控整流电路中，电路输出电压波形的脉动频率为300Hz。
过快的晶闸管阳极du/dt会使误导通。
晶闸管串联使用须采取“均压措施”。
晶闸管加.上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管也会导通。
在DC/DC变换电路中，可以采用电网换流方法。
为避免三次谐波注入电网，晶闸管整流电路中的整流变压器应采用Y/Y接法
交-交变频电路输出电压的基波频率一定比电网的频率低。
逆变角太大会造成逆变失败。
无源逆变指的是把直流电能转换成交流电能送给交流电网。
并联谐振式逆变电路，为了实现负载换流,要求补偿后的总负载呈感性。
PWM脉宽调制型逆变电路中，采用不可控整流电源供电，也能正常工作。
正激电路与反激电路的工作原理是类似的。
软开关技术具有多种实现方式。
MOSFET的通态电路的负温度系数的特性，有利于MOSFET的并联使用。
A:0.5<α<1 B:α无法确定 C:0<α<0.5 D:以上说法均是错误的
答案:0<ɑ<0.5
A:增加输出电压的稳定性 B:增加晶闸管的导电能力 C:抑制温漂 D:防止失控现象的产生
答案:防止失控现象的产生
A:2ms B:3ms C:4ms D:1ms
答案:3ms
A:足够小的触发功率 B:尽可能窄的宽度 C:尽可能缓的前沿 D:足够大的触发功率
答案:足够大的触发功率
A:在一个周期内单极性调制时有一个电平，双极性有两个电平 B:在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有三个电平 C:在一个周期内单极性调制时有三个电平，双极性有两个电平 D:在一个周期内单极性调制时有两个电平，双极性有一个电平
答案:在一个周期内单极性调制时有三个电平,双极性有两个电平
A:0°～180° B:0°～90° C:0°～120° D:0°～150°
AI参考:正确答案是B：0°～90°。三相桥式全控整流电路，电阻性负载时，移相范围为0°～90°。在移相范围内，整流电路仍然能够正常工作，输出电压波形仍然为半正弦波。超出移相范围后，整流电路将无法正常工作，输出电压波形将发生畸变。因此，答案为B。'
A:抗饱和电路 B:du/dt抑制电路 C:di/dt抑制电路 D:吸收电路
A:零电压 B:交变电压 C:反向电压 D:正向电压
A:晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时，晶闸管的导通角为180度 B:晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能正常工作 C:晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度 D:晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角不为180度
A:N组阻断，P组整流 B:P组阻断，N组逆变 C:N组阻断，P组逆变 D:P组阻断，N组整流
A:各二只 B:各一只 C:共三只 D:共四只
A:不可靠触发区 B:可靠触发区 C:安全工作区 D:不触发区
A:晶闸管阳极电流小于晶闸管的擎住电流 B:晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流 C:晶闸管阳极电流小于晶闸管的维持电流 D:晶闸管阳极电流大于晶闸管的擎住电流
AI参考:正确选项是：B:晶闸管阳极电流大于晶闸管的维持电流。晶闸管稳定导通的条件是阳极电流大于晶闸管的维持电流。晶闸管是一种可控的半导体器件，它可以通过控制触发电流来改变其导通状态。晶闸管的导通需要一定的电流值，这个值被称为擎住电流或维持电流。当阳极电流大于维持电流时，晶闸管才能保持导通状态，并可以通过触发电流的变化来控制其导通状态的变化。因此，选项B是正确的。'
A:大于1 B:为负 C:小于1大于0 D:等于1
A:120° B:90° C:150° D:180°
A:V1与V4导通，V2与V3关断 B:V1与V4关断，V2与V3导通 C:V1常通，V2常断，V3与V4交替通断 D:V1常断，V2常通，V3与V4交替通断
A:1.17 U2 B:2.34 U2 C:0.45 U2 D:0.9 U2
A:Ud=1.17U2cosα B:Ud =0.45U2cosα C:Ud =-2.34U2cosα D:Ud =0.9U2cosα
A:0度 B:120度 C:60度 D:30度
AI参考:正确答案是B：120度。三相半波带电阻性负载时，α为120度时，可控整流输出的电压波形处于连续和断续的临界状态。此时，电源电压与负载电压的相位差为120度，负载电流连续可调，输出电压波形处于临界状态。因此，答案为B。'
A:120° B:90° C:180° D:60°
A:错 B:对
A:错 B:对
AI参考:正确答案是B：对。\r电力MOSFET是一种常用的功率电子器件，其工作频率高、开关损耗小、驱动功率小、开关速度快等优点使其在功率电子装置中得到了广泛应用。根据题干中的信息，电力MOSFET常用于功率不超过100kW的电力电子装置，因此答案为B，即“对”。'
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
AI参考:B:错。交-交变频电路输出电压的频率和电网频率相同，只是其谐波频率高于电网频率。'
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
A:对 B:错
A:错 B:对
