材料科学基础（上）第三章测试_智慧树知到答案2021年

第三章 晶体结构缺陷：本章从微观层次上介绍晶体中缺陷产生的原因、缺陷的类型、缺陷的产生、复合、运动、不同缺陷之间的相互作用以及缺陷的控制与利用。3.1晶体结构缺陷的类型:本节主要介绍晶体结构缺陷一般根据缺陷的几何形态和形成原因进行分类。按照几何形态进行分类有利于建立起有关缺陷的大小、方位、空间取向等概念；从形成原因上进行分类有利于了解缺陷的形成过程，对缺陷的控制与利用具有指导意义。
3.2点缺陷:本节主要介绍点缺陷是材料中普遍存在的一种缺陷，种类繁多。其产生与复合始终处于动态平衡状态，它们之间还会像化学反应似地相互反应。本节主要介绍点缺陷的符号表征、反应方程式表述及浓度计算。
3.3线缺陷:本节主要介绍晶体在结晶或使用时，收到各种应力的作用或高能射线辐照作用，使晶体内部质点排列变形，原子行列间相互滑移，不再符合理想晶格的有序排列，形成线缺陷，如各种位错。本节主要介绍晶体滑移的机理、位错的类型及特征、位错的伯氏矢量、位错性质及位错运动。
3.4面缺陷:本节主要介绍面缺陷是将材料分成若干区域的边界。每个区域内偶遇相同的晶体结构，区域之间有不同的取向，如表面、界面、晶界、层错、孪晶等。本节主要介绍晶界与层错的概念、类型及特点
3.5固溶体:本节主要介绍固溶体是将外来组元引入晶体结构，占据基质晶体质点位置或间隙位置的一部分而形成的，它仍然保持为一个晶相。本节主要介绍固溶体的主要类型、置换型固溶体和间隙型固溶体的形成条件。
3.6非化学计量化合物:本节主要介绍非化学计量化合物中，负离子与正离子的比例不是固定的比例关系，不符合化合物的定比定律。这是在化学组成上偏离化学计量而产生的一种缺陷。非化学计量化合物都是半导体，为半导体元件的制备开辟了一个新的途径。本节主要介绍非化学计量化合物的特点、类型、以及其组成与相应气相组分的分压的关系