第十章单元测试
- 下列关于固相析出说法正确的是（ ）。
- 在什么情况下得到粗大而有规则的晶体（ ）。
- 结晶法对溶剂选择的原则是（ ）。
- 将四环素粗品溶于pH2的水中，用氨水调pH4.5—4.6，28－30℃保温，即有四环素沉淀结晶析出 。此沉淀方法称为（ ）。
- 下列方法中不属于沉淀法的是：（ ）。
- 下列关于“结晶”和“沉淀” 的叙述不正确有：（ ）。
- 从溶液中结晶的晶体不具有的性质是：（ ）。
- 结晶过程包括哪三个步骤：（ ）。
- 下列不是影响晶体纯度的因素有：（ ）。
- 对于接触成核优点的叙述不正确的是：（ ）。
A:和析出速度无关
B:沉淀和晶体会同时生成
C:析出速度慢产生的是结晶
D:析出速度慢产生的是沉淀
答案:析出速度慢产生的是结晶
A:晶体生长速度大大超过晶核生成速度
B:晶体生长速度等于晶核生成速度
C:晶体生长速度持续升高
D:晶体生长速度大大低于过晶核生成速度
A:对有效成分溶解度小，对杂质溶解度大
B:对有效成分溶解度大，对杂质溶解度小
C:对有效成分冷热时都溶，对杂质则不溶
D:对有效成分热时溶解度大冷时溶解度小，对杂质冷热都溶或都不溶
A:等电点法
B:盐析结晶法
C:有机溶剂结晶法
D:透析结晶法
A:加入有机聚合物析出法
B:结晶
C:等电点法
D:盐析法
A:从溶液中形成新相的角度来看，结晶和沉淀本质上是不一致的
B:形成晶形物质的过程称为“结晶”
C:得到无定形物质的过程称为“沉淀”
D:从溶液中形成新相的角度来看，结晶和沉淀在本质上是一致的。
A:自范性
B:各向异性
C:各向同性
D:均匀性
A:形成过饱和溶液、晶核形成和晶体生长。
B:晶核形成、晶体生长和重结晶
C:形成过饱和溶液、晶体生长和重结晶
D:晶核形成、形成过饱和溶液和晶体生长
A:二次成核
B:晶习
C:母液在晶体表面的吸藏
D:形成晶簇，包藏母液
A:易实现稳定操作的控制
B:溶液过饱和度对接触成核影响很大
C:产生晶核所需的能量非常之低，被碰撞的晶体不会造成宏观上的磨损。
D:这种成核过程是在低过饱和度下进行的，能得到优质产品
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