现代半导体器件及先进制造 2_智慧树知到答案2021年

[多选题]对于长沟道MOSFET器件，发生夹断后，下面说法中正确的是（ ）。 选项:[沟道中漏极一侧的电位为0
, Vg继续增加，Id不会继续增大
, Vg≥Vd+Vth
,
]

[多选题]沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响（ ）。 选项:[阈值电压增大
, 器件的漏极电流增大
, 器件的可靠性劣化
, 器件的集成度增加
]
[单选题]有关MOSFET器件亚阈值摆幅（S）的说法错误的是（ ）选项:[
, 亚阈值摆幅的单位是mV
, 温度升高，亚阈值摆幅增大
,
]
[单选题]有关MOSFET器件特征长度的说法正确的是（ ）选项:[栅氧化层介电常数越厚，特征长度越小
, 沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小
, 仅与器件的结构参数有关
, 与器件的沟道长度呈正比
]
[判断题]MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。（ ） 选项:[对, 错]