- 本征半导体中没有掺杂离子。（ ）
- MOSFET器件是一种热载流子器件。（ ）
- MOS电容的工作状态包括积累区、平带、耗尽区、反型区等。（ ）
- 常温下，非本征半导体具有比本征半导体中更小的电导率。（ ）
- 互联延时与互联的最小特征尺寸的平方呈正比。（ ）
- IIIA族元素都是硅的受主杂质。（ ）
- 随着集成电路技术节点的演进，光刻图案中一维线条的比例越来越高。（ ）
- 场效应晶体管器件的开启电流难以通过缩短沟道长度持续增大。（ ）
- 当注入离子的原子序数较大时，硅对注入离子的阻挡作用主要是原子核阻挡。（ ）
- 多次光刻是获得更密集图案的方法之一。（ ）
- 互联的Design rule减小有可能导致互连线间出现信号串扰。（ ）
- 自对准侧墙工艺能够用来制造FinFET器件Fin的图案。（ ）
- 硅中的载流子有效质量小于载流子的实际质量。（ ）
- FD-SOI MOSFET器件中的短沟道效应比PD-SOI MOSFET中弱。（ ）
- 渐变沟道近似可以理解为MOSFET器件中沿沟道宽度方向的电场强度远大于沿沟道长度方向的电场强度。（ ）
- 集成电路制造对光刻技术提出的要求包括（ ）
- 场效应晶体管中反型层载流子的散射机制有（ ）
- 增加n型硅的电导率，可以采用下面哪些方法（ ）
- 当场效应晶体管器件沟道长度缩短时，可能出现下列哪些现象（ ）
- 根据形成机制的不同，硅中的电流可以分为（ ）
- 提升Si MOSFET器件中反型层载流子迁移率的方法包括（ ）
- 影响场效应晶体管器件特征长度的因素包括（ ）
- 当场效应晶体管以系数1/k进行等电场微缩时，下面说法正确的是（ ）
- 场效应晶体管的电极包括（ ）
- 量产级集成电路制造中，产生张应变的方法有（ ）
- 在投影式曝光中，改善光刻分辨率的方法包括（ ）
- 下面哪些元素不是硅中的受主杂质（ ）
- SOI MOSFET器件的优点有（ ）
- 集成电路制造过程中的工艺步骤包括（ ）
- 除了光刻，利用下面哪种方法也能获得纳米尺度的精细图形（ ）
- 金属和半导体间的接触类型包括（ ）
- 典型的薄沟道（thin body）器件包括（ ）
- 制造硅晶圆时，直拉法相对区域熔融法的特点包括：（ ）
- 下面有关载流子迁移率的说法，正确的是（ ）
- 张应变作用下，Si nMOSFET中的电子将发生哪些变化（ ）
- 下面有关接触式刻蚀终止层技术的说法正确的是（ ）
- 抑制场效应晶体管器件中栅极电阻导致的延迟，可以采用的结构或方法是（ ）
- 下面哪种结构或方法能够抑制场效应晶体管器件中的寄生电容（ ）
- 制造n型沟道MOSFET器件的硅衬底，掺杂离子可能是（ ）
- 为了提高p型沟道和n型沟道场效应晶体管器件中的载流子迁移率，应该对它们分别施加何种应变（ ）
- 从应变对载流子迁移率提升作用的角度看，场效应晶体管沟道的最优取向是（ ）
- 空气侧墙的实现利用了哪种效应（ ）
- 当MOSFET器件的栅极电压Vg=Vth时，下面说法错误的是（ ）
- 下面有关应力记忆技术的说法正确的是（ ）
- 相移光刻技术利用的是下面哪个原理（ ）
- 能够在Si沟道中产生张应变的方法不包括（ ）
- 下列哪一种缺陷不是硅中的点缺陷。
- 相移光刻利用了光的什么特性（ ）
- 有关纳米压印技术的特点，下列说法正确的是（ ）
- 施主杂质掺杂将导致硅的费米能级如何移动（ ）
- 离轴照明技术提升光刻分辨率的原理是（ ）
- 单晶硅的晶体结构是（ ）
- SMO技术指的是（ ）
- 表征光刻极限分辨率的依据是（ ）
- 特征尺寸越小，栅极延迟和互联延时都越小。（ ）
- 下面哪种方法不能抑制场效应晶体管器件中的寄生电容（ ）
- 根据传输线模型，有关场效应晶体管器件源漏接触电阻的说法正确的是（ ）
- 当互联的最小特征尺寸减小时，下面说法错误的是（ ）
- Al互联中不包含下面那个结构（ ）
- 下面哪种方法能够减小Si栅极堆垛的EOT（ ）
- 有关High-k/metal gate技术的说法正确的是（ ）
- 作为High-k栅氧化层的材料，需要具备下面哪些特点（ ）
- Scavenging技术实质上是氧化还原反应。（ ）
- 几种薄膜沉积方法中，三维表面包覆能力由强到弱依次为：ALD、PECVD、电子束蒸镀。（ ）
- 在硅沟道场效应晶体管器件中，埋入式源漏技术能够产生何种应变（ ）
- 张应变和压应变影响硅沟道中载流子迁移率的共同原因有（ ）
- 应变硅技术从90纳米技术节点开始进入量产。（ ）
- 对于高集成密度的n型沟道的Si FinFET器件，合适的产生应变的技术是（ ）
- 有关半导体中载流子有效质量的说法正确的是（ ）
- 光刻是集成电路制造过程中总成本最高的工艺。（ ）
- 下面有关浸没式光刻技术的说法，正确的是（ ）
- 正光刻胶和负光刻胶中，光敏剂的作用分别是（ ）
- 根据瑞利判据得到的光刻分辨率极限，表达式为（ ）
- 相移光刻技术中，使光产生相位差的方法包括：（ ）
- 沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响（ ）。
- MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。（ ）
- 有关MOSFET器件特征长度的说法正确的是（ ）
- 有关MOSFET器件亚阈值摆幅（S）的说法错误的是（ ）
- 对于长沟道MOSFET器件，发生夹断后，下面说法中正确的是（ ）。
- 当硅中掺杂浓度越小时，费米能级越靠近Ei。（ ）
- 硼掺杂的硅中，下列说法正确的是：（ ）
- 本征硅的费米能级位于：（ ）
- 抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（ ）。
- 制造单晶硅衬底的方法包括（ ）。
答案:对
答案:对
答案:对
答案:对
答案:错
答案:错
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答案:对
答案:对
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