浙江大学
第一章单元测试
- 本征硅的费米能级位于：（ ）
- 硼掺杂的硅中，下列说法正确的是：（ ）
- 抑制离子注入工艺中沟道效应的方法有（ ）。
- 制造单晶硅衬底的方法包括（ ）。
- 当硅中掺杂浓度越小时，费米能级越靠近Ei。（ ）
A:
略偏向
B:
略偏向
C:
D:
答案:
略偏向A:与磷掺杂硅的导电类型一致
B:硅的晶体结构将发生改变
C:电子浓度大于空穴浓度
D:空穴浓度大于电子浓度
答案:空穴浓度大于电子浓度
A:降低离子注入能量
B:升高衬底温度
C:衬底表面沉积非晶薄膜
D:倾斜衬底
答案:升高衬底温度
###衬底表面沉积非晶薄膜
###倾斜衬底
A:直拉法
B:氧化还原法
C:区域熔融法
D:外延生长法
答案:直拉法
###区域熔融法
A:对 B:错
答案:对
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