第二章单元测试
- 对于长沟道MOSFET器件，发生夹断后，下面说法中正确的是（ ）。
- 沟道长度缩短有可能对MOSFET器件产生哪些影响（ ）。
- 有关MOSFET器件亚阈值摆幅（S）的说法错误的是（ ）
- 有关MOSFET器件特征长度的说法正确的是（ ）
- MOSFET器件的阈值电压实际上是栅极MOS电容强反型区的起点。（ ）
A:Vg≥Vd+Vth
B:Vg继续增加，Id不会继续增大
C:
D:沟道中漏极一侧的电位为0
答案:Vg≥Vd+Vth
###Vg继续增加，Id不会继续增大
###沟道中漏极一侧的电位为0
A:器件的集成度增加
B:阈值电压增大
C:器件的漏极电流增大
D:器件的可靠性劣化
答案:器件的集成度增加
###器件的漏极电流增大
###器件的可靠性劣化
A:温度升高，亚阈值摆幅增大
B:亚阈值摆幅的单位是mV
C:
D:
答案:亚阈值摆幅的单位是mV
A:栅氧化层介电常数越厚，特征长度越小
B:沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小
C:与器件的沟道长度呈正比
D:仅与器件的结构参数有关
答案:沟道长度相等的器件，特征长度越小，DIBL越小
A:错 B:对
答案:对
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