第五章单元测试
- 有关High-k/metal gate技术的说法正确的是（ ）
- 作为High-k栅氧化层的材料，需要具备下面哪些特点（ ）
- 下面哪种方法能够减小Si栅极堆垛的EOT（ ）
- 几种薄膜沉积方法中，三维表面包覆能力由强到弱依次为：ALD、PECVD、电子束蒸镀。（ ）
- Scavenging技术实质上是氧化还原反应。（ ）
A:能够提升沟道中的载流子迁移率
B:栅氧化层k值越大越好
C:从45纳米技术节点开始进入量产
D:能够减小栅氧化层中的电场强度
答案:从45纳米技术节点开始进入量产
###能够减小栅氧化层中的电场强度
A:需要具有较好的稳定性
B:需要是常见材料
C:需要具有合适的能带结构
D:需要具有较高的k值
A:减薄栅绝缘层的厚度
B:利用high-k材料替代二氧化硅栅绝缘层
C:应用Scavenging技术
D:利用金属栅替代多晶硅栅
A:错 B:对
A:对 B:错
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