第六章单元测试
- 根据传输线模型，有关场效应晶体管器件源漏接触电阻的说法正确的是（ ）
- 当互联的最小特征尺寸减小时，下面说法错误的是（ ）
- Al互联中不包含下面那个结构（ ）
- 下面哪种方法不能抑制场效应晶体管器件中的寄生电容（ ）
- 特征尺寸越小，栅极延迟和互联延时都越小。（ ）
A:与金属的功函数无关
B:分为长接触极限和短接触极限两种特例
C:源漏接触电极越大，接触电阻一定越小
D:源漏接触金属下方的电流密度不均匀
答案:分为长接触极限和短接触极限两种特例
###源漏接触金属下方的电流密度不均匀
A:互联延时减小
B:互联寄生电阻增大
C:互联寄生电容不变
D:互联延时增大
A:Al配线
B:Liner
C:Cu通孔
D:W通孔
A:引入沟道应变
B:后栅工艺
C:空气侧墙
D:high-k栅绝缘层
A:对 B:错
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