第三章单元测试
- 下面有关浸没式光刻技术的说法，正确的是（ ）
- 相移光刻技术中，使光产生相位差的方法包括：（ ）
- 根据瑞利判据得到的光刻分辨率极限，表达式为（ ）
- 正光刻胶和负光刻胶中，光敏剂的作用分别是（ ）
- 光刻是集成电路制造过程中总成本最高的工艺。（ ）
A:能够减小光的波长
B:由台积电的工程师林本坚发明
C:在目镜和衬底间填充水
D:能够增大物镜的数值孔径
答案:能够减小光的波长
###由台积电的工程师林本坚发明
###能够增大物镜的数值孔径
A:在掩膜板上的透光区域中添加移相器
B:减小未沉积铬区域的石英板厚度
C:利用整面透光的石英板，改变局部区域的厚度
D:改变石英掩膜板的倾斜角
A:
B:
C:
D:
A:交联催化剂，提供自由基
B:提供自由基，交联催化剂
C:交联催化剂，交联催化剂
D:提供自由基，提供自由基
A:错 B:对
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