第四章单元测试
- 有关半导体中载流子有效质量的说法正确的是（ ）
- 张应变和压应变影响硅沟道中载流子迁移率的共同原因有（ ）
- 在硅沟道场效应晶体管器件中，埋入式源漏技术能够产生何种应变（ ）
- 对于高集成密度的n型沟道的Si FinFET器件，合适的产生应变的技术是（ ）
- 应变硅技术从90纳米技术节点开始进入量产。（ ）
A:与载流子的惯性质量在数值上相等
B:电子和空穴可能具有不同的有效质量
C:具有一定的概率分布
D:受到半导体晶格周期性势场的影响
答案:电子和空穴可能具有不同的有效质量
###受到半导体晶格周期性势场的影响
A:减小MOS界面粗糙度
B:抑制界面态的库伦散射作用
C:增加能级分裂，抑制能谷散射
D:减小载流子有效质量
A:仅能产生张应变
B:其余选项说法都不对
C:仅能产生压应变
D:既有可能产生张应变，又有可能产生压应变
A:SiGe埋入式源漏技术
B:接触式刻蚀中止层技术
C:应力记忆技术
D:SiGe虚拟衬底技术
A:错 B:对
温馨提示支付 ￥3.00 元后可查看付费内容,请先翻页预览!
