半导体器件答案2023秋

第四章测试

1.双极晶体管的基区特点（ ）。
A:窄且掺杂重 B:宽且掺杂轻 C:宽且掺杂重 D:窄且掺杂轻
答案:D
2.基区中的复合电流IVB受以下哪些因素影响（ ）。
A:基区的掺杂 B:基区宽度 C:基区中的电荷数 D:基区的少子寿命 3.双极晶体管中的结构参数会影响哪些器件性能（ ）。
A:基区的输运系数 B:共基接法的电流放大系数 C:共射接法的电流放大系数 D:发射区的发射效率 4.双极晶体管的发射区掺杂要低。（ ）
A:错 B:对 5.NPN双极晶体管中发射区的多子是电子（ ）
A:错 B:对